针对总剂量效应4H-SiC功率器件的加固设计方法AET-电子技术应用-最丰富的电子设计资源平台

针对总剂量效应4H-SiC功率器件的加固设计方法
所属分类：技术论文
上传者：wwei
文档大小：3818 K
标签：4H-SiC 器件总剂量效应电路加固
所需积分：0分积分不够怎么办？
文档介绍：介绍了总剂量效应对4H-SiC功率器件的影响以及对应的加固方案。首先介绍了4H-SiC功率器件的电气特性以及工作时面临的辐照环境。接着根据辐射对器件特性的影响，识别辐射缺陷，并建立了退化机制。然后，分析了单极性器件和双极性器件的辐照的特性。最后，针对器件在辐照环境中的退化机理，分别从工艺、器件结构、版图与电路方面提出了加固设计方法。
现在下载
VIP会员，AET专家下载不扣分；重复下载不扣分，本人上传资源不扣分。

活动