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DC-60 GHz硅基垂直互联结构仿真设计
所属分类：技术论文
上传者：aetmagazine
文档大小：747 K
标签：三维集成硅转接板堆叠垂直互联结构
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文档介绍：设计了一种基于多层硅转接板堆叠的垂直互联结构，对DC-60 GHz频段内不考虑和考虑硅表面SiO2层的两种层间结构的垂直互联仿真结果进行对比，证明了硅表面SiO2层存在会对谐振频率及阻抗等射频性能产生影响；对后者垂直互联结构进行参数优化，射频传输性能较好，频率40 GHz以下时回波损耗S11小于-30 dB，60 GHz以下整体S11小于-15 dB，插入损耗S12在50 GHz以下大于-0.32 dB；研究了硅表面SiO2绝缘层厚度变化对射频信号传输性能的影响，结果表明适当增加其厚度有助于垂直互联结构性能优化。
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