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一种基于130 nm CMOS工艺的K波段上/下双向混频器
所属分类：技术论文
上传者：aetmagazine
文档大小：916 K
标签：上/下双向混频器 K波段 CMOS
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文档介绍：基于130 nm RF CMOS工艺，提出了一种可实现上/下双向变频功能的K波段有源混频器。当收发机工作于接收模式时，双向混频器执行下变频功能，将低噪放大器放大后的射频信号转换为中频信号；当收发机工作于发射模式时，双向混频器则实现上变频功能，将输入的基带信号转换为射频信号并输出至功率放大器。后仿真结果表明，在0 dBm的本振驱动下，混频器工作于上变频模式时的转换增益、噪声系数、输出1 dB压缩点在23~25 GHz范围内分别为-1.1~-0.4 dB、12.9~3.3 dB、-8.2 dBm@24 GHz；工作于下变频工作模式时的转换增益、噪声系数、输入1 dB压缩点在23~25 GHz范围内分别为2.4~3.4 dB、15.2~15.6 dB、-3.6 dBm@24 GHz。混频器芯片面积为0.6 mm2；在1.5 V供电电压下，消耗功率12 mW。
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