基于0.35 μm CMOS工艺的高温高压LDO芯片设计AET-电子技术应用-最丰富的电子设计资源平台

基于0.35 μm CMOS工艺的高温高压LDO芯片设计
所属分类：技术论文
上传者：aetmagazine
文档大小：1053 K
标签：LDO CMOS 高温高压
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文档介绍：基于X-FAB xa 0.35 μm CMOS工艺，首先采用Cascode电流镜和高压管，设计了一种具有高电源抑制比且无需额外提供偏置模块的高温高压基准电路，在输入电压为5.5 V～30 V、工作温度为-55 ℃～175 ℃时，可获得稳定的0.9 V基准电压。接着针对负反馈环路的稳定性问题，根据动态零点补偿原理设计了一种新的动态零点补偿电路，使系统在全负载变化范围内保持稳定。同时配合其他过温保护、过压保护、过流保护和逻辑控制等电路模块，完成一款面积为2.822 3 mm2的高温高压低压差线性稳压器(LDO)芯片的设计。
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