采用平面分栅结构的高增益宽带射频VDMOS研制AET-电子技术应用-最丰富的电子设计资源平台

采用平面分栅结构的高增益宽带射频VDMOS研制
所属分类：技术论文
上传者：aetmagazine
文档大小：843 K
标签：射频场效应晶体管分栅
所需积分：0分积分不够怎么办？
文档介绍：硅基射频场效应晶体管具有线性度好、驱动电路简单、开关速度快、热稳定性好、没有二次击穿等优点，在HF、VHF和UHF波段具有广阔的应用前景。针对射频场效应晶体管宽带、高增益和高效率的应用需求，基于标准平面MOS工艺，采用平面分栅(split gate)结构，通过优化结构和工艺参数研制出一款工作电压为28 V的硅基射频垂直双扩散金属氧化物开云棋牌官网在线客服场效应晶体管(VDMOS)。该器件在30~90 MHz频段范围内，小信号增益大于19 dB，在60 MHz频点下连续波输出功率可以达到87 W，功率附加效率达72.4 %，具有优异的射频性能。
现在下载
VIP会员，AET专家下载不扣分；重复下载不扣分，本人上传资源不扣分。

活动