| 热退火对GaN阴极光电发射性能的影响 | |
| 所属分类：技术论文 | |
| 上传者：v895bv | |
| 文档大小：1286 K | |
| 标签：GaN | |
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| 文档介绍：热退火不但可以大量地减少GaN阴极样品中的各种缺陷和寄生电容，改善材料的结晶属性，而且可以改善样品的表面质量，对提高样品的光谱响应是一种有力的手段。对GaN阴极样品进行了不同温度、不同时间的退火处理，使样品的性能得到了改善，最优条件下样品的暗电流仅为200pA，电阻率仅为1.6 Ω.cm，最大光谱响应为0.19A/W。依据光谱响应作为评估标准，可以得出，采用700℃热退火10min制备出的阴极具有更高的光电发射性能，从而实现了GaN光电阴极的优化制备工艺。 | |
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