梯度掺杂结构GaN光电阴极的稳定性 | |
所属分类:技术论文 | |
上传者:v895bv | |
文档大小:478 K | |
标签:GaN | |
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文档介绍:利用NEA GaN光电阴极多信息量测试评估系统,测试出阴极在不同情况下所对应的量子效率曲线,根据测试曲线的不同变化规律,对反射式均匀掺杂和梯度掺杂结构GaN光电阴极的稳定性进行了对比分析。由于梯度掺杂结构可在其发射层内部产生系列内建电场,致使其能带连续向下弯曲,导致其表面真空能级比均匀掺杂样品下降得更低,发射层表面形成的负电子亲和势更明显,造成发射层内的光生电子更易逸出,阴极量子效率的衰减变慢,从而使其稳定性强于均匀掺杂结构。 | |
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