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结型场效应晶体管的霍耳效应的理论分析
所属分类：解决方案
上传者：news
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标签：ADI TI FPGA
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文档介绍：以高速MOSFET器件为基础，对超快高压电脉冲产生技术进行了实验研究。采用多路并联的高速MOSFET与感应叠加相结合的形式，得到脉冲半宽度为300 ns、上升时间约为60 ns、时间间隔600 ns的超快方波双脉冲；在负载电阻为11．5 Q时，可以产生365 A的脉冲峰值电流，并且能够提供1．5 Mw 的峰值输出功率。
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