结型场效应晶体管的霍耳效应的理论分析
所属分类:解决方案
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文档介绍:以高速MOSFET器件为基础,对超快高压电脉冲产生技术进行了实验研究。采用多路并联的高速MOSFET与感应叠加相结合的形式,得到脉冲半宽度为300 ns、上升时间约为60 ns、时间间隔600 ns的超快方波双脉冲;在负载电阻为11.5 Q时,可以产生365 A的脉冲峰值电流,并且能够提供1.5 Mw 的峰值输出功率。
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