一种高电源抑制比全工艺角低温漂CMOS基准电压源 | |
所属分类:技术论文 | |
上传者:serena | |
标签:高电源CMOS电压源 | |
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文档介绍:基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比,同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压,通过电压放大器放大得到稳定的电压,以提供给带隙核心电路作为供电电源,从而提高了电源抑制比。另外,将电路中的关键电阻设置为可调电阻,从而可以改变正温度电压的系数,以适应不同工艺下负温度系数的变化,最终得到在全工艺角下低温漂的基准电压。Cadence virtuoso仿真表明:在27 ℃下,10 Hz时电源抑制比(PSRR)-109 dB,10 kHz时(PSRR)达到-64 dB;在4 V电源电压下,在-40~80 ℃范围内的不同工艺角下,温度系数均可达到5.6×10-6 V/℃以下。 | |
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