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DRAM厂制程转换不顺 新产能变数多

2010-07-14
作者:——
关键词: 存储器 DRAM 50 nm

近期DRAM市场供需杂音多,由于终端需求前景不明,7月合约价不见起色,仍持续往下修正,加上随著40和50纳米制程微缩导致产能增加,进而压抑价格走势,然值得注意的是,目前各家DRAM厂在40和50纳米世代转换不顺消息频传,新产能是否能如期出笼仍存变量,因此,第3季DRAM价格还有多少修正空间,目前仍处于混沌状态。

DRAM业者表示,自从PC大厂祭出降低DRAM搭载率策略后,原本供给吃紧的DRAM市场顿时松动,原本搭配4GB模块被砍到仅搭配2GB,等于少掉50%的DRAM产能消耗量,加上欧洲债信问题雪上加霜,导致整个终端买气急冷冻,第2季DRAM价格走势呈现虎头蛇尾情况。

展望第3季DRAM价格走向,7月合约价反映需求疲弱而持续下跌,各业者对于第3季整体合约价看法,乐观的业者认为可维持平稳或小跌,但悲观声浪认为将一路走跌,直至PC企业换机潮大量出笼后,才有回稳迹象。

不过,DRAM业者指出,第3季DRAM价格走向要看各厂制程微缩进度是否如预期顺利,按照各家DRAM厂40和50纳米量产时间表,第3季DRAM产能增加数量将相当可观,但近期各家 DRAM厂制程转换不顺消息频传,若第3季新产能开出进度不如预期,价格走势未必会太悲观。

事实上,由于各DRAM厂进入40和50纳米制程后,开始导入浸润式曝光机台(Immersion Scanner),可说是最艰深的一道门槛,转换制程学习曲线难度远高于过去,导致2010年DRAM供给端变量相当复杂。

存储器业者表示,南亚科和华亚科2009年起由70纳米转进50纳米,加上沟槽式(Trench)转进堆叠式(Stack)亦是大工程,直到2010年第3季50纳米产品才会大量产出,但各界对于其50纳米进度仍存疑虑,凸显50纳米制程门槛颇高。另外,尔必达(Elpida)阵营包括力晶、瑞晶、茂德等,未来要从 63纳米转进45纳米所遇到困难,并不亚于南亚科和华亚科,尤其跳过50纳米直接转进45纳米,更是一大挑战。

DRAM业者表示,7月合约价持续往下,目前各界对于8月合约价走势不太乐观,主要是短期内看不到终端需求大幅回笼迹象,唯一寄望是企业换机潮大量出笼,而另一个稳住价格动力,就是各厂40和50纳米量产进度再度往后延。

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