中芯国际和Virage Logic合作65nm低漏电工艺
2010-05-31
Virage Logic 公司和
中芯国际集成电路有限公司宣布其长期合作伙伴关系扩展到包括
65nm(nanometer)的低漏电(low-leakage)
工艺技术。根据协议条款,系统级芯片(
SoC)设计人员将能够使用 Virage Logic 开发的,基于
中芯国际65纳米低漏电工艺的 SiWare存储器编译器,SiWare逻辑库,SiProMIPI 硅知识产权 (IP) 和 IntelliDDR IP。这一联合协议是 Virage Logic 与业界领先的代工厂业务扩展战略的一个组成部分,也是中芯国际承诺为其客户提供一个完整的
IP解决方案的兑现。 “作为中国首屈一指的代工厂,我们与 Virage Logic 公司拓展合作伙伴关系将使中芯国际能够提供更多业界领先的65纳米低漏电工艺的开云棋牌官网在线客服 IP,这不仅能满足来自中国本地的系统级芯片开发人员的需要,亦将助益我们开发全球开云棋牌官网在线客服市场。”中芯国际资深副总裁兼首席商务官季克非表示。“目前我们已经有一些客户正积极利用中芯国际的65纳米低漏电工艺及 Virage Logic 公司相关
IP进行芯片项目的开发。我们期待持续发展与 Virage Logic 的合作关系,不断满足日益增长的市场需求。”
“我们很高兴能够在65纳米低漏电工艺方面扩大与中芯国际的伙伴关系。Virage Logic 开发的业界领先的 IP 产品将能够让更多的客户选择中芯国际作为他们
65nm制造的主要供应商,” Virage Logic 公司市场和销售执行副总裁 Brani Buric 表示。“作为代工厂赞助的 IP 产品计划之一,我们的 SiWare存储器编译器和 SiWare逻辑库将免费提供给终端用户使用,中芯国际对此充分肯定其战略意义。除此之外我们的 SiProMIPI 和 IntelliDDR 标准高速接口 IP 也为用户提供了一个经验证的解决方案,使得各地的设计师都能在他们的65纳米低漏电设计中选择世界一流的 IP。”
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