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Vishay Siliconix发布首款采用PowerPAK 1212-8封装的30V P沟道TrenchFET功率MOSFET

2010-05-05
作者:Vishay Siliconix

  宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 5 月 5 日 — 日前,VishayIntertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出首款采用PowerPAK® 1212-8封装的30V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET--- Si7625DN。在这种电压等级和3.3mmx3.3mm占位面积的P沟道MOSFET中,该器件的导通电阻是最低的。

  新款Si7625DN可用于笔记本电脑、上网本和工业/通用系统中的适配器、负载和电池开关。适配器开关(在适配器、墙上电源和电池电源之间切换)通常是开启并且吸收电流。Si7625DN更低的导通电阻意味着更低的功率损耗,节省能源,延长两次充电之间的电池寿命,同时还可以减少发热,减小PCB焊盘的面积。对于工业/通用系统中的电压达24V的负载切换和热插拔应用,该MOSFET的低导通电阻还可以减小电压降。

  Si7625DN在10V和4.5V下的导通电阻低至7mΩ和11mΩ,这些数值比此前3.3mmx3.3mm占位面积的30V器件在10和4.5V下的导通电阻分别低30%和39%。

  新款MOSFET采用了Vishay此前发布的30V P沟道第三代TrenchFET Si7145DP所采用的PowerPAK SO-8封装。为满足工业应用的要求,第三代TrenchFET封装让设计者可在具有最大漏电流和功率耗散的PowerPAK SO-8(分别比SO-8高85%和79%)或节省空间的PowerPAK 1212-8之间进行选择。由于占位只有3.3mmx3.3mm,该器件的占位面积只有PowerPAK SO-8或SO-8型封装的1/3。

  MOSFET进行了完备的Rg和UIS测试,符合ROHS指令2002/95/EC,符合IEC 61249-2-21的无卤素规范。

  新款Si7625DN TrenchFET功率MOSFET现可提供样品,将于2010年第二季度实现量产,大宗订货的供货周期为十六周。

VISHAY简介
  Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富 1,000 强企业”,是全球分立开云棋牌官网在线客服(二极管、整流器、MOSFET、光电器件及某些精选 IC)和无源电子元件(电阻器、电容器、电感器、传感器及转换器)的最大制造商之一,这些元件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天及医疗市场的各种类型的电子设备。凭借产品创新、成功的收购战略,以及“一站式”服务使 Vishay 成为了全球业界领先者。有关 Vishay 的详细信息,敬请浏览网站www.vishay.com

  TrenchFET®和PowerPAK®是Vishay Siliconix公司的注册商标。

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