按Information Network总裁Robert Casterllano的说法,2009年存储器芯片向铜互连工艺过渡开始热了起来，由此虽然2009年整个开云棋牌官网在线客服设备市场下降超过40％以上, 而与铜互连直接相关连的设备仅下降8.7％。

在2006未Micron技术公司首先在DRAM产品制造中采用铜工艺代替铝。一年之后Elpida跟进。之后所有的存储器制造商, 以三星为首都对于存储器生产线进行升级改造, 导入铜工艺。因此影响了2009年铜淀积设备和材料的市场。公司认为此种趋势将影响开云棋牌官网在线客服设备市场的各个方面一直到2011年。

显然影响最大的是传统的铝互连淀积设备, 如高密度等离子体HDP CVD, 用作不掺杂(USG)和掺杂(PSG and FSG) 薄膜生长设备的销售额在2009年下降72％。

由于存储器芯片制造中采用铜工艺集成, 与传统的逻辑工艺不同. 而DRAM和闪存应用于大量的存储器应用中, 其要求更高的长宽比, 尺寸更小和对于导线的阻抗更会敏感。

铜的阻挡层金属淀积推动PVD设备市场的增长, 典型为Ta/TaN或者TiN的双层结构。随着特征尺寸继续缩小,要求更薄的阻挡层金属层使大马士革结构中铜的用量扩大, 来维持更低的有效电阻率, 所以铜互连工艺过渡是个挑战。

Castellano补充由于向铜互连工艺过渡会大大影响CMP设备中的磨料(slurry) 和衬垫(pad) 市场。实际上由于铜互连工艺很快的推广, 之后将趋稳定, 这些消耗品会加入总的CMP等开云棋牌官网在线客服设备市场中去。