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Vishay 推出最大结温高达 +175°C 的业界首款第 5 代高性能 45V 肖特基二极管

基于亚微米沟槽技术的新器件具有 60A 时低于 0.50V 至 30A 时低于 0.54V 的超低典型正向压降,以及 +125°
2008-07-14
作者:Vishay公司

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布推出最大" title="最大">最大结温高达 +175°C 的业界首款新型第五代(Gen. 5.0)高性能 45V肖特基二极管" title="肖特基二极管">肖特基二极管。30CTT045 与 60CPT045 器件基于亚微米沟槽技术,可提供超低" title="超低">超低的正向压降" title="正向压降">正向压降以及低反向漏电流,从而可使设计人员提高汽车及其他高温应用中的功率密度" title="功率密度">功率密度。

日前推出的这两款肖特基二极管在 +125°C 时具有超低的最大正向压降,对于 2 x 30A 60CPT045,30A 时典型正向压降低于 0.50V,对于 2 x 15A 30CTT045,15A 时典型正向压降低于 0.50V。这两款器件在 +125°C 时均具有超低的反向漏电流,分别为 5mA 及 2mA,并且参数分布非常紧凑。这两款器件均提供了优化的 VF 与 IR 权衡,可实现更高的系统效率。

30CTT045 与 60CPT045 均为交流到直流次级整流、反激式、降压与升压转换器、半桥、反向电池保护、续流、D 级放大器,以及直流到直流模块应用进行了优化。应用所涉及的典型终端产品包括高功率密度 SMPS;台式电脑适配器;服务器、汽车驱动器与控制装置;消费类电子产品,例如 PDP、LCD 及高效的音频系统;移动电子产品,例如笔记本电脑、手机及便携式媒体播放器。

对于设计人员,这些新型器件采用符合 RoHS 的小型封装,可改善成本功耗比,并且具有 RBSOA,可实现紧凑的低成本设计。30CTT045 采用 TO-220 封装,而 60CPT045 采用 TO-247 封装。

稳定的高击穿电压(一般高于 57V)可适应电压峰值并优化功率密度,在这些二极管中,功率密度增加了 25%。这两款器件坚固耐用,其抗反向雪崩能力提高了 40%,雪崩时部件可得到完全屏蔽,且开关损耗极小。

目前,新型 30CTT045 与 60CPT045 的样品及量产批量已可提供,大宗订单的供货周期为 6~8 周。

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