4 月 8 日消息，韩国媒体《hankooki》当地时间 3 日报道称，SK 海力士的 1c nm（IT之家注：即第六代 10 纳米级）DRAM内存工艺近期良率约为 80%，较去年下半年的六成有明显提升。

一般而言 DRAM 内存工艺在良率达到 80%~90% 时就可进入正式量产，可以说 SK 海力士的 1c nm 制程即将达到大规模生产所需的水平。

SK 海力士是在去年 8 月宣布成功开发出全球首款第六代 10 纳米级 DDR5 DRAM 的。该制程节点是 1b DRAM 平台的扩展，拥有更高生产率，并在运行速度、能效方面取得了改进。除 DDR5 外 LPDDR6、GDDR7 等也将采用该制程。

不过 SK 海力士的第六代 10 纳米级工艺尚需更长时间方能在需求火热的 HBM 领域得到应用：有消息表示，SK 海力士在今年内量产的 HBM4 内存上仍将采用更为成熟的 1b nm DRAM。