美光宣布1γ DRAM内存开始出货
性能提升15%,功耗降低20%以上
2025-02-26
来源:IT之家
2 月 25 日消息,美光科技刚刚宣布,已向生态系统合作伙伴及部分客户提供基于 1γ 节点、第六代(注:即10nm级)DRAM节点的DDR5内存样品。
据介绍,基于 1γ 节点的 16Gb DDR5 产品 DDR5 内存速度可达 9200MT/s,较上一代提升 15%,可满足数据中心、端侧 AI 设备对高性能计算的需求。
同时,美光的 1γ 节点采用了新一代高 K 金属栅极 CMOS 技术,结合设计优化,功耗降低超 20%,并显著改善热管理性能。
此外,新一代内存通过极紫外光刻(EUV)与工艺创新,使比特密度提升超 30%,有效提升内存供应效率。
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