12 月 22 日消息，据外媒 Wccftech 今日报道，美光发布了其 HBM4 和 HBM4E 项目的最新进展。

具体来看，下一代 HBM4 内存采用 2048 位接口，计划在 2026 年开始大规模生产，而 HBM4E 将会在后续几年推出。

HBM4E 不仅会提供比 HBM4 更高的数据传输速度，还可根据需求定制基础芯片，这一变化有望推动整个行业的发展。

据了解，定制的逻辑芯片将由台积电使用先进工艺制造，能够集成更多的缓存和逻辑电路，从而提升内存的性能和功能。

美光总裁兼 CEO Sanjay Mehrotra 表示：“HBM4E 的推出将改变存储行业，它将提供定制逻辑基础芯片的选项，借助台积电先进的工艺，美光将能够为特定客户提供定制化解决方案。这项创新将推动美光财务表现的提升。”

美光表示，HBM4E 的开发进展顺利，已经与多家客户展开合作，预计不同客户将采用不同配置的基础芯片。

据了解，美光的 HBM4 将采用 1β 工艺（第五代 10nm 技术）生产的 DRAM，置于一个 2048 位接口的基础芯片上，数据传输速率约为 6.4GT/s，理论带宽高达每堆栈 1.64TB/s。

美光还透露，针对英伟达的 Blackwell 处理器，8-Hi HBM3E 设备的出货已全面展开，12-Hi HBM3E 堆栈正在进行测试，主要客户反馈良好。