6月17日消息，在当前人工智能（AI）芯片中扮演不可或缺地位的高带宽內存（HBM），其生产困难点有哪些，为什么迄今全球只有SK海力士、美光和三星这三家DRAM大厂有能力跨入该市场，外媒对此做了一个综合性的分析。

报道表示，HBM通过使用3D堆叠技术，将多个DRAM（动态随机存取內存）芯片堆叠在一起，并通过硅穿孔技术（TSV，Through-Silicon Via）进行连接，进一步达到高带宽和低功耗的特点。HBM的应用中，CowoS（Chip on Wafer on Substrate）封装技术是其中一个关键的生产手段。

CowoS封装中的HBM技术困难度目前归纳了几项要点：

1、3D堆叠及TSV技术的挑战

在堆叠精度部分，在HBM中，多个DRAM芯片需要高度精准的堆叠在一起。这需要极高的制造技术水准，以确保每层芯片的对准精度，以避免电气性能的损失。至于，硅穿孔制成技术上，因为TSV技术是将垂直通孔穿透每一层硅片，并在通孔内填充导电材料。这一过程涉及精密的刻蚀和填充技术，稍有不慎就可能导致电气连接问题或热应力问题。

2、热管理

由于HBM芯片是3D堆叠结构，相较于传统的2D芯片，单位体积内的热量密度更高，这会导致芯片内部的热量难以散发，可能引发热失效。因此，CowoS封装需要设计高效的热管理方案，例如使用先进的散热材料和结构设计，来确保芯片的热稳定性。

3、电源和信号完整性

HBM需要高频宽的数据传输，这对电源分配网络提出了极高的要求。任何电源噪声都可能影响HBM的性能，导致数据传输错误。因此，CowoS封装必须确保稳定的电源供应和有效的噪声抑制。还有信号完整性问题，也就是高速数据传输对信号完整性产生了挑战，CowoS封装需要确保在高频环境下，信号传输的完整性。这牵涉到阻抗匹配、信号线长度优化以及减少信号干扰等技术。

4、封装技术的复杂性

由于CowoS封装需要将硅片、基板和散热材料等多种材料整合在一起，这要求各材料的热膨胀系数匹配，以避免因热膨胀差异导致的机械应力和芯片损坏。还有封装可靠性问题，例如在CowoS封装中的多层结构和复杂的连接方式，都需要确保封装的长期可靠性，包括抗机械冲击、热循环和电迁移等因素的影响。

5、制造成本

当然成本是影响产品商业化专关键的部分，由于CowoS封装涉及复杂的制造技术和生产的高精度设备，其制造成本较传统封装方式高得多。这对量产提出了经济性挑战，需要在高性能和成本之间找到平衡。

整体来说，HBM在CowoS封装中的应用，尽管面临多方面的技术难题，但其所带来的高频宽和低功耗优势，使其在高性能计算和AI芯片领域中具有巨大的潜质。随着封装技术的不断进步，这些技术难题有望逐步被克服，进而进一步推动HBM技术的普及应用。