4 月 25 日消息，台积电在近日公布的 2023 年报中表示，其背面供电版 N2 制程节点定于 2025 下半年向客户推出，2026 年实现正式量产。

台积电表示其 N2 制程将引入其 GAA 技术实现 ——纳米片（Nanosheet）结构，在性能和能效方面都提升一个时代，预计于 2025 年启动量产。

而引入背面电轨（Backside Power Rail）方案的 N2 衍生版本“最适用于高效能运算相关应用”，将在标准版 N2 后投入商用。

传统芯片采用自下而上的制造方式，先制造晶体管再建立用于互连和供电的线路层。但随着制程工艺的收缩，传统供电模式的线路层越来越混乱，对设计与制造形成干扰。

背面供电将芯片供电网络转移至晶圆背面，可简化供电路径，解决互连瓶颈，减少供电对信号的干扰，最终可降低平台整体电压与功耗。

台积电在先进制程代工领域的两大对手也在积极布局背面供电技术。

其中英特尔将在今年上半年的 Intel 20A 节点导入背面供电；另据以往报道，三星也有望在 2025 年的 SF2 节点应用此技术。

换句话说，2nm 制程将成为背面供电进入商业应用的标志节点。