三星2025年下半年将量产第十代V-NAND
进一步堆叠到430层
2024-04-16
来源：快科技
4月16日消息，三星计划在本月晚些时候开始量产第九代V-NAND闪存，可用的堆叠层数达290层，相比现在的236层只增加不到23％。
这一代新闪存将采用新的堆叠架构，底部是CMOS层加逻辑电路，上边是145层闪存阵列，再上边又是145层闪存阵列。
这种方法虽然更复杂，但是良品率可以得到很好的保障，而且可以轻松进一步拓展。
按照三星的规划，2025年下半年将量产第十代V-NAND，进一步堆叠到430层。
更遥远的未来，三星可能会在2030年左右做到1000层。
中国长江存储可能会在今年下半年量产300层，SK海力士计划明年初量产321层，铠侠号称2031年量产1000多层！
本站内容除特别声明的原创文章之外，转载内容只为传递更多信息，并不代表本网站赞同其观点。转载的所有的文章、图片、音/视频文件等资料的版权归版权所有权人所有。本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如涉及作品内容、版权和其它问题，请及时通过电子邮件或电话通知我们，以便迅速采取适当措施，避免给双方造成不必要的经济损失。联系电话：010-82306118；邮箱：aet@chinaaet.com。