据韩媒 ETNews 报道，三星电子和SK 海力士都在推进移动 DRAM 堆叠封装技术的应用，该技术可提高移动设备的内存带宽。

端侧 AI 是目前智能手机、笔记本等产品市场的热门话题，而实现端侧运行模型需要更强大的移动 DRAM 性能。堆叠芯片作为一种在 HBM 内存上行之有效的策略被纳入考虑。

然而，以 LPDDR 为代表的移动 DRAM 芯片较小，不适合与 HBM 相同的 TSV（硅通孔）连接方案；同时 HBM 制造工艺的高成本低良率特性也不能满足高产能移动 DRAM 的需求。

因此三星电子、SK 海力士采用了另一种先进封装方式来实现移动 DRAM 芯片堆叠，也就是垂直布线扇出技术 VFO，该技术可提供更多的 IO 数据引脚。

SK 海力士方面表示 VFO 技术将 FOWLP 和 DRAM 堆叠两项技术结合，通过垂直连接大幅缩短了电信号在多层 DRAM 间的传输路径，同时能效也有提升。

SK 海力士给出的数据显示，其去年中的 VFO 技术验证样品在导线长度上仅有传统布线产品的不到 1/4，能效也提升了 4.9%。虽然该方案带来了额外 1.4% 的散热量，但封装厚度减少了 27%。

根据 ETNews 的说法，三星方面采用类似技术的产品是 LLW DRAM。LLW DRAM 可实现低延迟和 128GB/s的高带宽性能，同时能耗也仅有 1.2 pJ / b。

采用 VFO 技术的产品有望成为继 HBM 后的下一个 AI 内存热点。报道称三星计划于明年下半年实现 LLW DRAM 的量产；而 SK 海力士相关产品目前已在量产准备阶段。