kaiyun官方注册
您所在的位置: 首页> EDA与制造> 业界动态> 三星SK 海力士推进移动内存堆叠封装技术量产

三星SK 海力士推进移动内存堆叠封装技术量产

用于满足端侧 AI 需求
2024-04-09
来源:IT之家

据韩媒 ETNews 报道,三星电子和SK 海力士都在推进移动 DRAM 堆叠封装技术的应用,该技术可提高移动设备的内存带宽。

端侧 AI 是目前智能手机、笔记本等产品市场的热门话题,而实现端侧运行模型需要更强大的移动 DRAM 性能。堆叠芯片作为一种在 HBM 内存上行之有效的策略被纳入考虑。

然而,以 LPDDR 为代表的移动 DRAM 芯片较小,不适合与 HBM 相同的 TSV(硅通孔)连接方案;同时 HBM 制造工艺的高成本低良率特性也不能满足高产能移动 DRAM 的需求。

因此三星电子、SK 海力士采用了另一种先进封装方式来实现移动 DRAM 芯片堆叠,也就是垂直布线扇出技术 VFO,该技术可提供更多的 IO 数据引脚。

SK 海力士方面表示 VFO 技术将 FOWLP 和 DRAM 堆叠两项技术结合,通过垂直连接大幅缩短了电信号在多层 DRAM 间的传输路径,同时能效也有提升。

7136437d-d6d5-44af-8b1b-92d329ef7d77.jpg

SK 海力士给出的数据显示,其去年中的 VFO 技术验证样品在导线长度上仅有传统布线产品的不到 1/4,能效也提升了 4.9%。虽然该方案带来了额外 1.4% 的散热量,但封装厚度减少了 27%。

根据 ETNews 的说法,三星方面采用类似技术的产品是 LLW DRAM。LLW DRAM 可实现低延迟和 128GB/s的高带宽性能,同时能耗也仅有 1.2 pJ / b。

采用 VFO 技术的产品有望成为继 HBM 后的下一个 AI 内存热点。报道称三星计划于明年下半年实现 LLW DRAM 的量产;而 SK 海力士相关产品目前已在量产准备阶段。


杂志订阅.jpg

本站内容除特别声明的原创文章之外,转载内容只为传递更多信息,并不代表本网站赞同其观点。转载的所有的文章、图片、音/视频文件等资料的版权归版权所有权人所有。本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如涉及作品内容、版权和其它问题,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以便迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。联系电话:010-82306118;邮箱:aet@chinaaet.com。
Baidu
map