据媒体报道，中国领先的存储企业长鑫存储( CXMT ) 已经开始准备必要设备，计划制造自己的HBM高带宽内存，以满足迫切的AI、HPC应用需求。

报道称，长鑫已经在向美国、日本的供应商下单采购制造、组装、测试 HBM 内存的必要设备。

这说明，相关开发设计工作已经完成，可以转入投产阶段。

消息人士称，早在 2023 年中，Applied Materials、Lam Research 等美国设备供应商就获得了美国政府的许可，可以向长鑫出口 HBM 制造设备。

考虑到 HBM 内存需要先进、复杂的制造和封装技术，这似乎暗示中芯国际在这方面也已经取得了突破。

目前，长鑫已经在合肥有了一座 DRAM 内存工厂，正在筹钱建设第二座，会导入更先进的工艺，有可能会同时用来制造 HBM。

暂时还不清楚长鑫要生产的 HBM 是第几代，可能是 HBM3，而国际上已经有了更先进的 HBM3E，SK 海力士还计划在 2026 年抢先投产 HBM4。

根据规划，HBM4 将抛弃用了将近十年的 1024-bit 位宽，首次升级到 2048-bit 位宽，并有望堆叠更多层级，从而在容量、带宽上都实现一次重大飞跃。