2024年1月4日，致力于亚太地区市场的国际领先开云棋牌官网在线客服元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下品佳推出基于英飞凌（Infineon）XMC4200微控制器和CFD7 CoolMOS™ MOSFET的3.3KW高功率密度双向相移全桥方案。

　　图示1-大联大品佳基于Infineon产品的3.3KW高功率密度双向相移全桥方案的展示板图

　　当前，全球对于可再生能源的关注度日益提高，作为一种可持续发展的清洁能源，太阳能已被广泛应用于家庭、工业和商业等各个领域。然而，随着太阳能的应用范围进一步扩大，业内迫切需要更高效率的能源转换技术来提升太阳能系统的性能。对此，大联大品佳基于Infineon XMC4200微控制器和CFD7 CoolMOS™ MOSFET推出3.3KW高功率密度双向相移全桥（PSFB）方案，其通过先进的开云棋牌官网在线客服器件及控制算法将PSFB拓扑设计的效率达到了全新水平。

　　图示2-大联大品佳基于Infineon产品的3.3KW高功率密度双向相移全桥方案的场景应用图

　　XMC4200是一款基于Arm^®Cortex^®-M4内核的工业级微控制器，具有16位和32位Thumb2指令集、DSP/MAC指令、浮点单元、存储器保护单元以及嵌套矢量中断控制器。内部集成了16KB引导ROM，拥有多达16KB高速程序存储器、24KB高速数据存储器和256KB带闪存以及丰富的通信外设，能够在严苛的工业环境中实现出色的性能。

　　CFD7 CoolMOS™ MOSFET是Infineon旗下CFD7系列具有集成快速体二极管的高压超级结MOSFET技术的产品，非常适用于高功率SMPS应用，如服务器/电信/EV充电站等。通过将表面贴装器件（SMD）封装中的一流600V CFD7 CoolMOS™ MOSFET与150V OptiMOS™ 5同步整流器结合使用，可以在buck模式下实现98%的效率，在boost模式下实现97%的效率。

　　图示3大联大品佳基于Infineon产品的3.3KW高功率密度双向相移全桥方案的方块图

　　得益于开云棋牌官网在线客服产品的出色性能和先进SMD封装技术以及创新的堆叠磁性结构，本方案可实现4.34 W/cm³（71.19 W/in³）的功率密度，再一次证明了PSFB拓扑可以用作双向DC/DC阶段。并且在不改变传统拓扑标准或构造的情况下，实现更加出色的能源效率。

　　核心技术优势：

• 具有高功率密度、高效率；

• 以相移全桥（PSFB）实现双向能量转换器；

• 具有20μs 140%加负荷；

• 以CFD7系列MOS实现高效率可能性；

• 具有多种保护模式和可配置参数，提高产品设计灵活度。

　　方案规格：

• 输入电压及频率操作为：DC 380V；

• 输出电压为：60V - 40V；

• 降压模式效率高达98%，升压模式效率高达97%；

• 功率密度为4.34 W/cm³（71.19 W/in³）；

• 采用ThinPAK 封装的Infineon CoolMOS™CFD7。

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