近期，各大视频平台疯传一条消息

称清华大学EUV项目

把ASML的光刻机巨大化

实现了光刻机国产化

并表示这个项目已经在雄安新区落地

还在视频中配了这样一张图

表示图片中的项目就是光刻厂

⬇⬇⬇

该项目是国产光刻机工厂？

NO！

这是北京高能同步辐射光源项目（HEPS）！

关于北京高能同步辐射光源

HEPS坐落于北京怀柔雁栖湖畔

是国家“十三五”重大科技基础设施

它是我国第一台高能量同步辐射光源

也是世界上亮度最高的

第四代同步辐射光源之一

早在2019年就开始建设

将于2025年底投入使用

HEPS是干嘛用的呢？

它的作用是通过加速器

将电子束加速到6GeV

然后注入周长1360米的储存环

用接近光速的速度保持运转

电子束在储存环的不同位置

通过弯转磁铁或者各种插入件时

就会沿着偏转轨道切线的方向

释放出稳定、高能量、高亮度的光

也就是同步辐射光

简单的说

HEPS可以看成是一个

超精密、超高速、具有强大穿透力的

巨型X光机

它产生的小光束

可以穿透物质、深入内部进行立体扫描

从分子、原子的尺度

多维度地观察微观世界

HEPS是进行科学实验的大科学装置

并不是网传的光刻机工厂

该项目由

全国勘察设计大师、

国投集团首席科学家娄宇带队

中国电子院多个技术科研

和设计团队协同合作

从项目可研立项到项目落地

中国电子院攻克了多项技术和工艺难关

解决了项目不均匀沉降、微振动控制、

超长结构设计、光伏板设计、

精密温度控制、工艺循环冷却水系统、

超复杂工艺系统等七大技术难题

实现了重大技术突破

指标控制达到了国际先进水平

目前高能同步辐射光源配套工程已全面完工

向产生世界最“亮”的光又更近了一步

　　本文我们分享《光刻机深度：筚路蓝缕，寻光刻星火》报告部分内容，全面了解光刻技术演进、光刻机构成、国内光刻产业发展趋势、市场空间等。

　以下为研报内容摘要：

　　光刻为IC制造核心工艺，光刻技术的演进成就了摩尔定律。光刻工艺占IC制造1/2的时间+1/3的成本，在瑞利公式:CD=k1 入/NA 的指导下，人类在缩短波长入，增大数值孔径NA，降低工艺因子k1三个方面展开探索，目前已实现13.5nm波长与达物理极限的k1，正在向0.55NA EUV迈步。为了实现进一步制程微缩，业界多采用多重曝光工艺，但对光刻机的套刻精度、图形畸变、稳定性有更高的要求。10nm及以下时，ArFi+多重曝光的复杂度急剧上升，经济性下降，EUV的出现使摩尔定律得以延续。

　光刻机由三大核心系统，数万个零件组成，是产业链各环节顶尖公司通力合作的成果。1)光源方面，DUV采用准分子激光器，技术掌握在Cymer和Gigaphoton手中，国内科益虹源打破垄断;EUV光源是通过高功率CO2激光器轰击Sn滴而来，高功率激光器为核心组件。2) 光学系统是光刻机分辨率成像的保证，由照明系统和物镜系统构成，照明系统优化成像过程，实现分辨率增强，投影物镜系统将掩模图形聚焦成像，ZEISS为ASML关键光学元件独供商，国内技术水平仍有较大差距。3)双工件台系统有效提高了光刻精度与效率，国内华卓精科和清华大学团队走在前列。

　光刻重要性愈显，国内巫待0->1的突破。开云棋牌官网在线客服行业十年翻倍，晶圆厂积极扩产，叠加芯片性能升级，光刻强度上升，预计5nm逻辑芯片的光刻支出占比达35%，光刻工艺的重要性愈发凸显，市场规模快速增长，预计2024年有望达230亿美元，ASML在高端市场一枝独秀。2022年中国大陆光刻机进口约40亿美元，主要从日本、荷兰进口，出口管制下光刻机存在断供隐忧，自主可控势在必行。依托举国之力，汇聚各科研院之所长，目前已有阶段性成果陆续落地。光刻机产业化渐近，零部件投资先行，我们测算国内零部件市场空间约150亿元，市场空间大、技术关键性强。

光刻机深度：筚路蓝缕，寻光刻星火-中航证券-2023.9.8-61页.pdf

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