据业内消息，在上周被列入美国实体名单后，长江存储或将在2024年退出3D NAND市场。

因为未来长江存储很难从美国采购制造设备、零部件以及技术支持，这意味着它无法增加产量或改进其产品。

将其列入实体清单的阻止了长江存储提供能够制造超过128层的NAND的设备，同时也结束了其升级路径，尤其其232层NAND上实现商业上可行显然不太可能。

今年早些时候开发232层设备使长江存储与市场领导者处于同一水平，但实体名单成员意味着长江存储可能永远无法商业化生产。

业内之前预测长江存储明年的存储产品供应位将同比增长60%，但是目前将同比下降7%，中国以外的NAND Flash买家对使用长江存储NAND持保留态度。

苹果公司对该公司的零部件进行了资格认证，可用于在中国销售的产品，但因为美国的政策产生的政治压力，同样表示不会订购这些零部件。

这也就意味着长江存储未来很可能仅限于在中国大陆运营，未来2年NAND行业的主要3D NAND工艺将进入2XX-L代，并可能生产300层部件，如果无法制造具有竞争力的3D产品将会彻底落伍，长江存储可能会仅生产2D产品。

据悉，长江存储获得了240亿美元的政府补贴，今年的资本支出预算大约为328亿美元。该公司拥有5%的闪存市场份额，其中128层NAND占其产量的40%，64层占60%。

长江存储的Fab1在去年年底已经运行了100kwpm的NAND闪存，达到或接近满负荷，其Fab2设备也在今年的第二季度建立起来，据说能够以200kwpm的速度运行。

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