据业内消息，近日三星在一年一度的技术日研讨会上公布了未来的3大规划方向，其中包括1.4纳米的代工制程工艺以及包括NAND、DRAM在内的各类内存和无晶圆厂的整体解决方案。

从5年前开始，三星都坚持每年举办的技术日研讨会，会上三星会讨论些发布的新技术、开云棋牌官网在线客服行业的趋势和现状以及未来的阶段性规划内容。在本届的会上，在三星为其即将推出的 1.4纳米制程工艺、内存路线图以及扩大其行业影响力的目标制定了计划。

一直以来三星都和和台积电一样是行业内代工工艺的最前沿，三星代工业务总裁兼负责人Siyoung·Choi博士谈到了三星芯片生产的未来规划，以及全球短缺对其代工厂业务的影响。其表示，三星目前需要提高整体产能并引领最先进的技术，同时进一步扩大硅片规模并通过应用继续进行技术创新。

在今年的早些时候，三星就开始开始为客户生产首批基于3nm的芯片，由于采用了3nm全环栅(GAA)技术，这些新芯片的性能提高大约30%，而且功耗会大幅减少，而该芯片比5nm芯片占用的空间最大减少35%。

目前三星一斤刚开始规划在2025年开始量产采用2纳米工艺的芯片，而在当前这个时间点，消费市场的大多数高级别的产品还在由基于5nm工艺构建的SoC提供支持。而且按照三星的规划，预计在2027年左右达到1.4纳米工艺节点，并计划在同年将其先进节点产量提高两倍。

除此之外三星还推出了其第8代和第9代的V-NAND产品以及第5代DRAM产品。三星目前为V-NAND提供512 Gb TLC产品，而按照之前的规划，今年的后半年会发布1 TB的TLC 版本。

目前三星的第5代DRAM产品10nm (1b)器件按照计划将会在后面进入量产阶段，至于未来的其他DRAM解决方案，包括32 Gb DDR5解决方案、8.5 Gbps LPDDR5X DRAM以及36 Gbps GDDR7 DRAM都在按照规划进行中。

三星表示需要大约8年的时间就能实现1000层的V-NAND，而目前就此计划正在进行架构过渡，也就睡从其当前的TLC架构过渡到QLC架构，因为后者可以增加密度并实现更多的层数。

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