6月1日消息，据彭博社报道，美国IP 设计龙头企业IBM陷入一宗排挤对手的诉讼，法庭日前判决称，IBM公司必须向美国“BMC软件公司”赔偿16亿美元（约合人民币106．8亿元），理由是两家公司在服务共同客户的过程中，IBM 不正当地用自己的软件替换了 BMC 在 AT＆T 公司的大型机软件。

美国地方法官格雷米勒表示，IBM 通过欺诈说服软件公司 BMC 签署了一份合同，允许 IBM “在不支付费用的情况下行使权利，获得其他合同利益，并最终获得 BMC 的核心客户之一”。

据了解，IBM和BMC曾签下一份精心协商的协议合作运营，协议内容禁止IBM鼓励两家公司的共同客户转用自家软件产品线。

在2017年，BMC起诉IBM，称后者违反协议，在2015年双方续签权力共享协议时挖角AT＆T的软件业务。

BMC要求法院判决IBM支付违反协议的7．91亿美元（约合人民币52．8亿元）违约金，并赔偿丢掉AT＆T合同损失的1．04亿美元（约合人民币6．9亿元）利润。BMC还要求法院考虑，如果发现IBM故意干扰BMC的客户关系，就将赔偿总金额增加两倍。

IBM则反驳说，AT＆T放弃了BMC的产品并转投IBM是出于它自己的原因；IBM声称，根据与BMC的协议，这是公平的竞争。虽然IBM近年已逐渐转向云计算和人工智能服务，但大型机仍然是其信息技术产品组合的重要一部分。

此外，IBM还表示，其“在此次合作的各个方面都本着善意行事”，并誓言将提起上诉。IBM在一份声明中表示：“这一判决完全没有事实和法律依据，IBM计划在上诉中寻求完全逆转这一判决。”“将 BMC软件技术从其主机上移除的决定完全是由AT＆T做出的，这一点得到了法庭的认可，并在AT＆T代表的证词中得到了证实。”

美国休斯顿地区法官Gray Miller周一驳回了IBM称其“公平公正地获得了AT＆T软件业务”的说法。该法官根据他之前的判断认定，IBM在AT＆T抛弃BMC的决定中所扮演的角色“带有故意不当行为的色彩”。并判决IBM必须向美国“BMC软件公司”赔偿16亿美元。

公开资料显示，IBM是唯一横跨大型机、PC、移动互联网、云计算四个时代，并即将步入智能时代的企业，其业务包括芯片设计、云计算、人工智能和IT基础设施等多个领域。

重心倾注芯片工艺赛道

作为IT界的行业翘楚，IBM最为令人注目的还属其芯片制程设计能力。

IBM与英特尔一般，是芯片制造行业最早入局的那批企业之一。早在1950年，IBM就使用晶体管技术制造并卖出了1万多台计算机。60年代到80年代是IBM最风光的时期，随着集成电路技术的成熟，IBM在1981年8月12日，推出了世界上第一台个人电脑——IBM5150。

要知道，用芯片代工模式改变全球芯片产业链的foundry企业台积电，是在1987年才成立的。因此，IBM等老牌IT企业，在造电脑时，很多情况下是自己把芯片设计并制造出来的，这种芯片生产模式叫做IDM，Integrated Device Manufacture，即一家企业将芯片设计、芯片制造、芯片封装和测试等多个产业链环节自己大包大揽了。1988年，IBM搭建了全球第一条200mm晶圆生产线。随后在2002年，IBM又建成了全球最先进的300mm生产线。

不过，由于IBM自身的芯片制造技术跟不上时代的发展，制造能力已经远远落后于后起之秀台积电与三星，为了产品的性能，IBM只能将研发出来的IBM Power 10处理器交由三星代工生产，旗下的晶圆厂也因为失去用途而出售给格罗方德。

虽然IBM已经售出晶圆厂，宣告退出芯片制造赛道。但事实上，蓝色巨人并没有放弃先进芯片制程工艺芯片的研发。通过与AMD、三星以及GlobalFoundries等企业合作，IBM接连在多个工艺节点，率先推出测试芯片。

去年11月，IBM宣布其已经创造出世界上第一个2nm节点芯片，该芯片最小元件比DNA单链还小，并且是全球晶体管数量最多的芯片，相当于整个世界树木的10倍，而且其性能相比当前的7nm芯片提高了足足45％，如果将能耗比视为首位，其功耗也做到了比7nm芯片减少了75％。

据悉，该芯片是在IBM研究院在其纽约州奥尔巴尼开云棋牌官网在线客服研究机构设计和生产，根据IBM公布的芯片数据信息显示，该2nm芯片可容纳500亿个2nm晶体管，这意味着在每平方毫米芯片上集成3．33亿个晶体管。

与之相比，目前台积电的5nm芯片制程约有1．71亿个晶体管，而三星5nm制程每平方毫米约有1．27亿个晶体管。这使得该芯片在计算速度方面翻了将近一倍。

IBM此次研发出来的芯片纳米技术对开云棋牌官网在线客服进行了更高级的扩展，这种架构是业界首创。IBM通过增加每个芯片上的晶体管数量可以让芯片变得更小、更快、更可靠、更高效。2 nm芯片制程工艺设计的成功，意味着在IBM在宣布 5 纳米设计研发成功之后，仅用了不到四年时间就再次实现技术突破。

在IBM这次研发的2nm芯片里，IBM用上了一个被称为3D纳米片堆叠的晶体管技术（nanosheet stacked transistor），它将NMOS晶体管堆叠在PMOS晶体管的顶部，而不是正常晶体管那样并排放置，利用类似电子开关形成二进制数字1和0的变化。后者尽管有更快、更省电的作用，其最大的缺点是电子泄漏，而IBM的2nm芯片已经克服了这个问题。

与此同时，该芯片还使用了底部电介质隔离（bottom dielectric isolation）技术、内部空间干燥工艺（inner space dry process）技术、2nm EUV技术等，将有效改善原有晶体管技术存在的一些问题。

此外，在2021 IEEE国际电子器件会议（IEDM）上，“蓝色巨人”IBM还联合三星共同推出“垂直传输场效应晶体管”（VTFET） 芯片设计新工艺。

IBM与三星将晶体管以垂直方式堆叠，并让电流也垂直流通，使晶体管数量密度再次提高，更大幅提高电源使用效率，并突破1nm制程的瓶颈。

相较传统的水平放置晶体管的设计，这种新型的垂直传输场效应晶体管将能增加晶体管数量堆叠密度，在每个芯片上实现更高密度的这些组件，让运算速度提升两倍，同时借电流垂直流通，使功耗在相同性能发挥下降低85％。通过这种新设计，IBM和三星希望将摩尔定律扩展到纳米片阈值之外并减少能源浪费。

IBM 研究院混合云和系统副总裁 Mukesh Khare 博士表示：“今天我们共同发布这项新技术是在致力于挑战突破传统思路，重新思考我们应该如何持续推动社会进步，并提供新的创新，以改善人类的生活、工作和减少对环境所带来的负面影响。”

当今，主流的芯片架构采用的是横向传输场效应晶体管（FET），例如鳍式场效应晶体管（FinFET），因硅体类似鱼背鳍而得名。随着摩尔定律的延续，集成电路上可以容纳的晶体管数目在大约每经过18个月便会增加一倍，同时计算机的运行速度和存储容量也翻一番，如今可以塞进单个芯片的晶体管数量也几乎达到了极限。全新的设计方法能通过放宽晶体管门长度、间隔厚度和触点尺寸的物理限制来解决缩放（scaling ）障碍，并在性能和能耗方面对这些功能进行优化，这或许或成为未来芯片设计的新方向之一。