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三星陷入良率困境,3nm的GAA工艺,成了翻身机会

2022-03-21
来源:互联网乱侃秀
关键词: 三星 3nm GAA 格芯

三星在2017年前,在芯片代工领域,其实是排第四名的,台积电、格芯、联电都比三星强。

后来三星在2017年时提了一个目标,那就是要超过格芯、联电、台积电,未来要成为全球芯片代工的第一名。

在2018年时,三星成功地超过了格芯、联电,排名全球第二,然后三星的目标只有一个,那就是超过台积电。

但时至今日,三星与台积电的差距还是相当大的,按照2021Q4的数据,台积电的份额为53%,而三星只有17%,台积电份额约为三星的3倍。

事实上,三星这几年一直在努力,特别是在5nm、4nm时更是铆足了劲,还拉拢了高通,意欲与台积电争霸一下。

不过,或许因为三星太急于成功了,所以在4nm时陷入了良率困境,按照媒体的说法,三星4nm良率仅为35%,而台积电可达到70%,是三星的两倍。

而良率低会造成什么样的后果?那就是产能太低,成本过高,35%的率良,意味着生产100块晶圆,其中只有35块是正常的,另外的65块用不得。

所以三星晶圆代工的主要客户正在流失,比如高通,就决定将骁龙8 Gen1订单转向台积电生产,后续3nm芯片也全量委托给台积电……

对于三星而言,目前GAA技术的3nm工艺,成为了三星翻身的机会了,如果GAA工艺的3nm表现不给力,那么三星将很难超直台积电,如果GAA工艺表现给力,那还是有机会的。

GAA技术真的这么大的魅力?还真的有,详细的技术参数,我多说,我只简单地讲一下,大家就会明白了。

所有的芯片,都要进行通电,然后进行运算,而芯片由几十上百亿晶体管构成,而耗电分为两个部分。

一部分是运算本身产生的耗电,叫动态功耗。另外一部分则是CMOS晶体管各种泄露电流产生的静态功耗(又称漏电流功耗)。别小看了漏电,在芯片中,这个漏电功耗其实比动态功耗更大。

而GAA技术,相比于之前的FinFET技术,加到晶体管上的电压变小,这样导致漏电功率也变小。而功耗变小后,这样芯片的发热会变得更小,芯片的效率更高,性能更棒。

所以如果三星真的在GAA技术下的3nm上表现给力,那么生产出来的芯片,功耗小、发热少,你觉得客户会不会选择?毕竟台积电还在使用FinFET,技术是真的不如GAA技术的。




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