超级结器件降低传导和开关损耗，提高通信、服务器和数据中心应用能效

　　日前，VishayIntertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 沟道SiHK045N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，为通信、服务器和数据中心电源应用提供了高效解决方案，同时实现栅极电荷下降60 %。从而使其栅极电荷与导通电阻乘积在同类器件中达到业内先进水平，该参数是600 V MOSFET在功率转换应用中的关键指标（FOM）。

　　Vishay丰富的MOSFET技术全面支持功率转换过程，涵盖需要高压输入到低压输出的各种新型电子系统。随着SiHK045N60E的推出以及即将发布的第四代600 V E系列产品，公司可在电源系统架构设计初期满足提高能效和功率密度的要求——包括功率因数校正和硬切换AC/DC转换器拓扑结构。

　　SiHK045N60E采用Vishay最新高能效E系列超级结技术，10 V下典型导通电阻仅为0.043 Ω，超低栅极电荷下降到65 nC。器件的FOM为2.8 Ω*nC，比同类接近的MOSFET竞品器件低3.4 %。SiHK045N60E有效输出电容Co（er） 为117 pF，有助于改善开关性能。这些性能参数意味着降低了传导和开关损耗，从而达到节能效果。SiHK045N60E结壳热阻RthJC为0.45 C/W，比接近的竞品器件低11.8 %，具有更加出色的热性能。

　　该器件采用PowerPAK? 10x12封装，符合RoHS标准，无卤素，可承受雪崩模式下过压瞬变，并保证极限值100 %通过UIS测试。

　　SiHK045N60E现可提供样品并已实现量产，供货信息可与当地Vishay销售代表联系或发送电子邮件至hvm@vishay.com。

　　VISHAY简介

　　Vishay 是全球最大的分立开云棋牌官网在线客服和无源电子元件系列产品制造商之一，这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户，Vishay承载着科技基因——The DNA of tech.?。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”。