本文来自方正证券研究所2022年2月07日发布的报告《东芯股份：NAND、NOR、DRAM多品类布局引领国产闪存制程突破》，欲了解具体内容，请阅读报告原文，陈杭S1220519110008  

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聚焦中小容量通用型存储芯片，国内少数可以同时提供NAND、NOR、DRAM完整解决方案的公司。东芯股份打造以低功耗、高可靠性为特点的多品类存储芯片产品，公司设计研发的24nmNAND、48nm NOR均为我国领先的闪存芯片工艺制程，已达到可量产水平，实现了国内闪存芯片的技术突破。  

NAND Flash：核心技术优势明显，产品可靠性标准向车规级迈进。公司聚焦平面型SLC NAND Flash的设计与研发，主要产品采用浮栅型工艺结构，存储容量覆盖1Gb至8Gb，可灵活选择SPI或PPI类型接口，搭配3．3V／1．8V两种电压。公司的SLC NAND Flash产品被广泛应用于如5G通讯模块和集成度要求较高的终端系统运行模块。公司NAND Flash产品核心技术优势明显，尤其是SPI NAND Flash，公司采用了业内领先的单颗集成技术，有效节约了芯片面积，降低了产品成本，提高了公司产品的市场竞争力。公司产品不仅在工业温控标准下单颗芯片擦写次数已经超过10万次，同时可在－40℃到105℃的极端环境下保持数据有效性长达10年，产品可靠性逐步从工业级标准向车规级标准迈进。 

NOR Flash：下游新兴应用领域需求持续扩大，公司适时推出针对性产品推动销量增长。公司自主设计的 SPI NOR Flash 存储容量覆盖2Mb至256Mb，并支持多种数据传输模式，公司的产品主要被用于存储代码程序，产品制程已达到国内领先的48nm。公司NOR系列产品的销量由2018年度的4688．05万颗增长至2020年度的9438．63万颗，增长主要源于国产替代形势下，下游新兴应用领域尤其是可穿戴设备的需求持续扩大，公司适时推出针对性的产品，应用于传音控股、麦博韦尔等优质终端客户。 

DRAM：产品转向通用型、标准化，逐步实现下游应用领域向工业级的延伸拓展。公司DRAM产品经有多年技术沉淀，具有类型丰富、应用领域较宽的特点。公司研发的DDR3系列是可以传输双倍数据流的DRAM产品，具有高带宽、低延时等特点，在通讯设备、移动终端等领域应用广泛；公司针对移动互联网和物联网的低功耗需求，自主研发的LPDDR系列产品具有低功耗、高传输速度等特点，适合在智能终端、可穿戴设备等产品中使用。公司结合市场需求变化，正逐步实现产品客制化向通用型、标准化方向的转变及下游应用领域由消费级向工业级的延伸扩展。 

存储芯片产品价格存在周期性波动，公司经营业绩依赖下游市场供需情况。存储芯片作为开云棋牌官网在线客服产业的“风向标”，其在单价及数量上均呈现较强的周期性变化。周期性的主要原因为存储芯片的产品通用性及市场集中度较高，为了维持存储产品的市场份额，各厂商都会选择在行业景气度上行周期扩产增收、在景气度下行周期降价清理库存，进而导致产能与下游市场需求不匹配的情况，从而导致价格波动，影响公司经营业绩。 

规模效应逐步显现，产品结构优化，高附加值产品占比提升，公司盈利能力巨幅增长。公司预计2021年全年归母净利润区间2．．45亿元－2．75亿元，同比增长1154％－1308％；扣非归母净利润区间2．37亿元－2．67亿元，同比增长1250％－1421％，盈利能力增幅巨大。盈利能力的巨幅增长主要受益于：公司产品市场需求旺盛，随着公司产品线的不断丰富，产品结构持续优化，高附加值产品占比提升，对完成导入期的客户销售规模逐步扩大、规模效应逐步显现，使得公司闪存芯片销售规模持续扩大，公司经营业绩同比上升，从而销售毛利率较上年同期提升。 

盈利预测：我们预计公司2021－2023年营收12．0／16．0／21．0亿元，归母净利润2．5／3．2／4．0亿元，首次覆盖，给予“推荐”评级。

风险提示：1）产品价格波动风险；2）产品技术研发风险；3）下游行业景气度不及预期风险。