Vishay推出PowerPAK® 8x8L封装60 V和80 V N沟道MOSFET，优异的RDS(ON) 导通电阻低至0.65 mW
小型器件采用无引线键合鸥翼引线结构，提高板级可靠性
2022-02-09
来源：Vishay
宾夕法尼亚、MALVERN — 2022年2月7日 — 日前，VishayIntertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款n沟道TrenchFET® MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工业应用功率密度、能效和板级可靠性。为实现设计目标，60 V SiJH600E和80 V SiJH800E具有超低导通电阻，工作温度可达+175 °C以及高连续漏极电流。节省空间的PowerPAK® 8x8L封装采用无引线键合鸥翼引线结构消除机械应力，有助于提高板级可靠性。
SiJH600E和SiJH800E超低导通电阻—10 V下典型值分别为0.65 mW和1.22 mW—比同代PowerPAK SO-8封装器件分别降低54 %和52 %，从而减小了传导功耗，实现节能的效果。
为提高功率密度，SiJH600E和SiJH800E连续漏极电流分别为373 A和288 A，封装占位面积比D2PAK封装减小60 %，高度降低57 %。为节省电路板空间，每款MOSFET还可以用来取代两个并联的PowerPAK SO-8器件。
器件规格表：
该Vishay Siliconix器件工作温度可达+175 °C，性能稳定可靠，适用于电源、电机驱动控制、电池管理和电动工具等应用同步整流。器件采用无铅 (Pb) 封装、无卤素、符合RoHS标准，经过100 % Rg和UIS测试。
封装对比表:
SiJH600E和SiJH800E现可提供样品。产品供货周期和数量的相关信息，请与Vishay或我们的经销商联系。
本站内容除特别声明的原创文章之外，转载内容只为传递更多信息，并不代表本网站赞同其观点。转载的所有的文章、图片、音/视频文件等资料的版权归版权所有权人所有。本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如涉及作品内容、版权和其它问题，请及时通过电子邮件或电话通知我们，以便迅速采取适当措施，避免给双方造成不必要的经济损失。联系电话：010-82306116；邮箱：aet@chinaaet.com。