从制造工艺来看，忆阻器制造技术主要有纳米压印、溶液制备、电子束光刻等，但这些制备工艺或技术不成熟，或效果较差，无法制造出理想的忆阻器产品。

忆阻器，全称为记忆电阻器，是一种表示磁通与电荷关系的器件，是有记忆功能的非线性电阻，其阻值由流经的电荷确定，通过测定阻值，便可计算出流经的电荷量，从而具有记忆电荷作用，也可以通过控制电流变化来改变其阻值。

忆阻器概念于20世纪70年代初被提出，2008年，美国惠普公司研制出全球首个纳米忆阻器。忆阻器可以应用在数据存储、人工智能、通信等领域。在数据存储方面，由于忆阻器具有非易失性，制造而成的存储器可以应用在计算机、数据中心方面，即使断电，在通电后设备仍会记忆原有数据信息；在人工智能方面，由于忆阻器具有记忆功能，可以实现人工神经网络突触，让计算机、机器人来模拟大脑功能；在通信方面，忆阻器可以实现保密通信。总的来看，忆阻器对电子信息产业发展将会产生重大影响。

根据新思界产业研究中心发布的《2022－2026年忆阻器行业深度市场调研及投资策略建议报告》显示，从材料方面来看，已经研究问世的忆阻材料主要有金属氧化物、过渡金属硫化物、有机材料、钙钛矿材料等类型，全球多所高校与机构对其研究仍在不断深入，但尚未有综合性能优良且适合工业化生产的产品。从制造工艺来看，忆阻器制造技术主要有纳米压印、溶液制备、电子束光刻等，但这些制备工艺或技术不成熟，或效果较差，无法制造出理想的忆阻器产品。

现阶段，全球忆阻器行业仍处于发展初期，有产品被陆续研发问世，但并未大规模供应市场。忆阻器体积小、能耗低、存储性能优、工作效率高，仅从存储器方面来看，即具有广阔市场空间，可以应用到云计算、物联网、消费电子、医疗设备、航空航天、科学研究等众多领域。因此全球研究开发忆阻器的高校、机构、企业数量不断增多。

在海外，美国、英国、德国、日本、韩国等国家均在大力研发忆阻器，研究机构与企业主要有美国内布拉斯加大学、德国基尔大学、惠普、英特尔、IBM、NEC、三星等。与国外相比，我国忆阻器研究起步晚，2010年之后研究步伐才逐步加快，相关研究机构与高校主要有华东理工大学、华中科技大学、南京大学、清华大学、北京大学、国防科技大学、中科院微电子所等。

新思界行业分析人士表示，与国外相比，我国忆阻器研究成果相对较少，且研究机构／高校与企业之间的合作较少，不利于忆阻器产业化发展。忆阻器的材料开发与制造工艺研究还在不断深入，市场仍处于发展初期，我国还有追赶时间。未来，开发综合性能优、可工业化生产的忆阻材料，以及研发理想、高效的忆阻器制备工艺，是我国今后所需关注的重点。