IC设计大厂联发科（26）日召开法说会，执行长蔡力行表示，首颗采用台积电4纳米制程芯片将在明年首季正式放量，且受惠进入旗舰手机市场，预期明年5G芯片出货量及平均单价皆可持续提升。

蔡力行指出，旗舰机种对联发科来说是全新的市场，但凭借独特设计架构、优异的低功耗设计，以及台积电4纳米制程，首款旗舰产品效能领先业界，有助联发科提升市占率。

联发科该款5G旗舰芯片已获所有主要的中国大陆品牌采用，预计年底就会开始贡献营收，明年第一季则可进入放量阶段，未来也将推出更多旗舰级产品，进一步拓展市场。

此外，5G通讯商转迈入第三年，今年全球5G渗透率约为35-40%，蔡力行看好，明年5G渗透率将超过50%，联发科目前已在全球手机市占取得领先，可持续受惠，也会抢进毫米波产品升级潮。

市场方面，蔡力行补充，今年除了持续布局中国大陆市场，也与全球品牌在美洲、欧洲、印度及其他新兴市场导入5G，且导入动能相当强劲，预期成长动能也将一路延续至明年。