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最全统计:碳化硅项目104个、氮化硅GaN项目43个

2021-08-19
作者:沐遥
来源:科创之道
关键词: 碳化硅 氮化硅

  由于SiC、GaN有着硅 Si 材料无法企及的优势,所以用这两款开云棋牌官网在线客服材料制造的芯片可以承受更高的电压,输出更高能量密度,承受更高的工作环境温度。然而,受工艺、成本等因素限制,多年来仅限于小范围应用。

  而随着工艺进步、材料生长、器件制备等技术的不断突破,第三代开云棋牌官网在线客服逐渐打开应用市场空间,触角向5G基站、特高压、城际高铁交通、新能源充电桩、智能汽车、消费电子等关键领域延伸。

  根据光大证券研报,新能源汽车为SiC的最重要下游领域,主要应用包括主驱逆变器、DC/DC转换器、充电系统中的车载充电机和充电桩等,单车用量平均为0.5片6寸碳化硅,碳化硅晶片价格为7000元/片,单车碳化硅衬底价值量约3500元。根据IHS数据,2018年和2027年碳化硅功率器件市场规模分别约4亿和100亿美金,复合增速约40%。

  若按光大证券的估算,若车用碳化硅晶圆成功替代硅晶圆,平均两辆电动车需要一片6英寸碳化硅晶圆。

  以特斯拉为例,其一季度宣称6月底美国工厂Model 3及Model Y的年产能将达50万辆,上海厂计划年底产能50万辆,使其总产能规模近100万辆。也就是说,特斯拉一年平均约要50万片6英寸碳化硅。然而,有数据显示,目前全球碳化硅晶圆总年产能约在40-60万片。一家特斯拉便可以吃掉行业全部产能。

  旺盛需求下,我国第三代开云棋牌官网在线客服行业发展风口已至。以碳化硅SiC、氮化镓GaN为代表的第三代开云棋牌官网在线客服材料,热度急剧上升。不完全统计,国内“已有+在建”碳化硅产线104条,GaN项目也达到了43个(统计截至2021年8月19日)。


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