基于信号与电源完整性的有效分析优化2.5D-3D的设计
2021年电子技术应用第8期
何永松1，秦祖立2，林 麟1，吴 凯1
1.上海燧原科技有限公司，上海200000；2.上海铿腾电子科技有限公司，上海200000
摘要：HBM(高带宽内存)存储系统与传统的DRAM接口相比，具有高速率和低功耗特性。在2.5D/3D的设计中，随着HBM速率的提高，对信号与电源完整性的设计的考量越来越重要，如何通过有效的仿真指导产品的设计是一个挑战。首先从信号完整性的角度讨论了设计的考量点，其次从电源完整性的角度讨论电源噪声在高速传输信号中的影响，并提出了如何仿真与预测大量同步开关噪声等电源噪声对眼图的影响，最后基于芯片的测试结果对比仿真，给出结论。
中图分类号：TN402
文献标识码：A
DOI：10.16157/j.issn.0258-7998.219806
中文引用格式：何永松，秦祖立，林麟，等. 基于信号与电源完整性的有效分析优化2.5D-3D的设计[J].电子技术应用，2021，47(8)：64-67，71.
英文引用格式：He Yongsong，Qin Zuli，Lin Lin，et al. Optimizing 2.5D/3D IC design with efficient power and signal integrity analysis[J]. Application of Electronic Technique，2021，47(8)：64-67，71.
文献标识码：A
DOI：10.16157/j.issn.0258-7998.219806
中文引用格式：何永松，秦祖立，林麟，等. 基于信号与电源完整性的有效分析优化2.5D-3D的设计[J].电子技术应用，2021，47(8)：64-67，71.
英文引用格式：He Yongsong，Qin Zuli，Lin Lin，et al. Optimizing 2.5D/3D IC design with efficient power and signal integrity analysis[J]. Application of Electronic Technique，2021，47(8)：64-67，71.
Optimizing 2.5D/3D IC design with efficient power and signal integrity analysis
He Yongsong1，Qin Zuli2，Lin Lin1，Wu Kai1
1.Shanghai Enflame Technology，Shanghai 200000，China；2.Cadence Shanghai，Shanghai 200000，China
Abstract：Compared with the traditional DRAM interface, the HBM(High Bandwidth Memory) storage system has the characteristics of high speed and low power consumption. In the design of 2.5D/3D, as the rate of HBM increases, the design considerations of signal and power integrity are becoming more and more important. How to guide the design of products through effective simulation is a challenge. The article firstly discusses design considerations from the perspective of signal integrity, then discusses the impact of power supply noise on high-speed transmission signals from the perspective of power integrity and proposes how to simulate and predict the effects of Simultaneous Switch noises. Finally based on the silicon chip, simulations have well correlated and verified by test results.
Key words :2.5D/3D design；signal integrity；power integrity；SSN；voltage noise prediction
0 引言
高带宽内存(High Bandwidth Memory，HBM)存储系统已成为某些超级计算机中用于高性能图形加速、网络设备以及高性能数据中心的最广泛使用的存储器件。与传统的存储器接口相比，HBM可实现更高的带宽，同时消耗更少的功耗。HBM广泛应用于高级封装中，结合中介层基板芯片(Interposer)，实现存储器的数据读写。而Interposer的设计随着HBM的速率上升，信号完整性(SI)和电源完整性(PI)带来的挑战越来越大。Interposer的设计人员在初始设计时，为了克服SI和PI的挑战，需要有效的仿真方法学指导设计。本文从SI和PI角度讨论如何设计仿真，并通过实测芯片验证仿真方法学的可靠性。
本文详细内容请下载：http://www.chinaaet.com/resource/share/2000003702。
作者信息：
何永松1，秦祖立2，林 麟1，吴 凯1
(1.上海燧原科技有限公司，上海200000；2.上海铿腾电子科技有限公司，上海200000)
此内容为AET网站原创，未经授权禁止转载。