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SK海力士采用EUV量产第四代10nm级DRAM

2021-07-13
来源:OFweek电子工程网
关键词: SK海力士 EUV 10nm DRAM

K海力士宣布,开始启用EUV光刻机闪存内存芯片。

具体来看,已经于7月初开始量产适用第四代10nm(1a)级工艺的 8Gigabit(Gb) *LPDDR4 移动端DRAM(动态随机存储器)产品。

此次SK海力士量产的1a纳米级工艺是继1x(第一代)、1y(第二代)、1z(第三代)之后的第四代工艺节点。SK海力士预计从下半年开始向智能手机厂商供应采用1a nm级技术的移动端 DRAM。

在此之前,SK海力士曾在生产1y nm级产品中部分采用了EUV技术,完成了对其稳定性的验证。这对采用EUV技术进行量产DRAM产品具有非凡的意义。

相比于前一代1z nm级工艺,1a nm级DRAM在每一张晶圆中可产出的产品数量约提高了25%,带来了生产效率的提升和更高的成本竞争力。1a nm级DRAM稳定支持 LPDDR4 移动端DRAM规格的最高速度(4266Mbps),并相较前一代产品其功耗也降低了约20%。SK海力士认为此次新产品进一步强化了低功耗的优势,助力碳排放量的减少,充分体现了SK海力士注重ESG(环境、社会、公司治理)经营的精神理念。

启用EUV技术光刻机闪存内存芯片的还包括三星和美光,不过美光时间上要更晚一些,预计在2024年生产新的EUV内存芯片。




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