不容错过!SiGe锗硅工艺流片接单进行中!
2021-07-11
来源:开云棋牌官网在线客服行业观察
由于受硅材料固有特性的限制,基于硅工艺的器件速度已经接近到物理极限,进一步提升器件速度并保持线性特性变得十分困难。而SiGe由于其独特的物理性质和重要的技术应用价值,逐渐在电子和光电子开云棋牌官网在线客服器件中得到广泛的应用。
SiGe 速率升级
1、光通信芯片速率升级:
由于Optical Fiber Networks等应用对性能要求较高,因此高性能Sige工艺可以得到应用,fT(GHz)50-300GfT,CMOS器件电压为1.8V/3.3V:
前传从6G/10G向25G升级;
中传以50G/100Gbit/s速率为主;
回传光模块逐渐以100G//200G/400Gbit/s速率为主。
应用于光通信方向都是在SiGe 搭配CMOS器件180nm节点,性能优异。
2、高性能射频前端以LNA/PA 为主:
用于Automotive Radar, 60GHz WiFi, 24GHz Backhaul, Light Peak and Thunderbolt, GPS LNA等高性能模拟器件, 集成SW+LNA, LNA+SW+PA射频前端FEM的SiGe工艺, fT(GHz)一般小于100G,搭配350/180nm CMOS器件。
Millimeter Wave 等应用一般使用200G以上fT的工艺,搭配180nm的CMOS器件。
3、除光通信、射频前端以外的其他高速应用:
对于Cable/DSL line drivers, Audio Amplifiers, Hard Disk Pre-Amplifiers, Serdes 等应用,其Ft(GHz)一般为50-300G, CMOS器件电压为1.8V/3.3V。
目前,SiGe工艺方向已有数十家客户Tape-out,目前已有客户在光通信、服务器高速接口等方向通过摩尔精英的流片服务进入量产环节。
摩尔精英流片服务方案
摩尔精英为客户提供一站式晶圆流片、封装、测试、产品工程及量产管理服务,包括全工艺覆盖的MPW/FullMask/量产服务,封装快速打样/SiP设计/量产管理、基于自主ATE设备的测试服务,和项目整体管理包含质量、交期和良率等服务。
摩尔精英流片服务依托于与国内外主流晶圆厂建立战略合作关系,提供8nm-350nm的流片服务,涵盖MPW, Fullmask及量产服务;根据每个客户的需求,提供质量、交期和性价比均衡的最佳的流片解决方案。
摩尔精英流片服务提供专业的技术服务流程:
提供工艺选择的相关资料(工艺覆盖0.35um-8nm)
帮助选择合理及正确process devices 和 production mask
协助客户完成 Tape-out 流程
跟踪并保障Fab out schedule
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主流晶圆厂工艺节点:
自建FAE技术团队,平均Fab PIE CE工作经验10+, Design Service工作经验 5+, Fab端驻场服务,直接对接Tapeout window,高效反馈客户问题。
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