6月11日，东芝电子器件与存储株式会社（东芝）和日本开云棋牌官网在线客服株式会社（日本开云棋牌官网在线客服）共同展示了一种改进方法，可提高高压横向双扩散MOS（Laterally Double Diffused MOS，LDMOS）的可靠性和性能。其中，LDMOS是在电机控制驱动程序等大量汽车应用中使用的模拟IC的核心组件。随着车辆电气化的不断发展，包括更广泛地部署高级驾驶辅助系统（ADAS），东芝和日本开云棋牌官网在线客服将能够根据所需电压提供改进的LDMOS单元设计。

　　（图片来源：东芝）

　　众所周知，设计LDMOS时经常需要在可靠性和性能间进行取舍。横向寄生双极效应通常会降低人体模型（HBM）容差。而通过增加背栅比（backgate ratio）抑制横向寄生双极效应，HBM测量的静电放电（ESD）的容差会得到改善。然而，增加背栅比也会增加导通电阻，从而降低性能。截至目前，LDMOS设计人员仍然必须在HBM容差与更高的导通电阻之间取得平衡。

　　东芝和日本开云棋牌官网在线客服对LDMOS中的HBM容差进行了评估，发现即使背栅比增加，在80V以上时容差也没有增加。他们发现这是因为在2D TCAD模拟中，垂直寄生双极效应与横向寄生双极效应一起出现，使设计人员在设置HBM和背栅比参数时具有更大的自由度。

　　东芝公司开发出一种技术，可优化除了背栅比（背栅的总宽度与源和背栅的总宽度之比）之外的单元设计参数。而将该技术与此次的发现相结合，东芝和日本开云棋牌官网在线客服提出一种改善HBM容差并抑制80V及更高LDMOS导通电阻的方法，从而使得LDMOS可具有HBM容差，且不依赖背栅比。该方法可应用于发动机、转向系统等其他汽车系统中，将有助于提高可靠性和功率效率。

　　东芝拥有适用于各种应用、各种电压的LDMOS广泛产品阵容，并且正在开发可集成嵌入式非易失性存储器（eNVM）和高压模拟IC的第五代工艺技术。东芝和日本开云棋牌官网在线客服致力于开云棋牌官网在线客服工艺研发，为低功耗和高可靠性做出贡献。

　　来源：盖世汽车

　　作者：刘丽婷