美光在今年1月发表导入1α制程的DRAM产品，本月则已开始大量出货使用1α制程的LPDDR4xDRAM。美光亦在业界领先的数据中心平台（例如第三代AMD EPYC）完成1α制程DDR4的验证，目前两款产品皆已在包含台中A3 新厂的美光台湾先进DRAM 厂区量产中。

　　与其竞争对手不同的是，美光至少在几年内不打算使用极紫外 （EUV） 光刻技术。然而，由于该公司仍需要提高其存储芯片的密度并降低其每比特成本，但美光可以依靠其自身的其他创新技术来实现缩小其 DRAM 的尺寸。美光的 1α 节点 与 1Z 相比，位密度提高了 40%，功耗降低了 15%。它还提供更高的性能潜力。

　　美光1α制程存储器席卷市场，以先进的DRAM 技术带动创新，不管是服务器平台以数据为中心的工作负载，或消费型轻薄笔电，皆能受惠。1α 制程有助提升存储器电源效率，更长的电池续航力更让笔电携带更加便利，适用于现今居家办公和学习的环境。

　　美光也表示，有鉴于远距办公与教学日益普遍，美光与全球个人电脑生态系统伙伴密切合作，在个人电脑需求激增趋势下提供最新存储器技术，其中包含与台湾OEM业者宏碁（2353）携手合作，将使用1α制程的LPDDR4x和DDR4应用至宏碁系统中。

　　此外，美光今（2）日也宣布车用的128 GB及256 GB容量的96层NAND快闪存储器已开始送样，两者同属美光领先业界的UFS 3.1 接口NAND 新产品组合。随着车用资讯娱乐系统不断更新，现已包含高画质显示屏，并搭载应用人工智能技术（AI）的人机接口，可处理声音、手势及影像辨识。美光UFS 3.1 产品组合正可提供汽车业亟需的低延迟、高传输储存解决方案。

　　美光UFS 3.1 存储器读取速度比UFS 2.1 快两倍，让数据密集的车用资讯娱乐系统及先进驾驶辅助系统（ADAS）开机更快，延迟降低。此外，UFS3.1 存取效能提高50%，能符合Level 3 以上ADAS 感测器、相机以及汽车黑盒子即时终端储存（local storage）增加的需求。