Vishay推出先进的30 V N沟道MOSFET，进一步提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效
器件采用PowerPAK® 1212 8S封装，导通电阻低至0.95 m，优异的FOM仅为29.8 m*nC
2021-06-01
来源：Vishay
宾夕法尼亚、MALVERN — 2021年5月25日 — 日前，VishayIntertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）推出多功能新型30 V n沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET---SiSS52DN，提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效。Vishay Siliconix SiSS52DN采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装，10 V条件下导通电阻仅为0.95 mW，比上一代产品低5 %。此外， 4.5 V条件下器件导通电阻为1.5 mW，而4.5 V条件下导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET开关应用重要优值系数（FOM）为29.8 mW*nC，是市场上优值系数最低的产品之一。
SiSS52DN的FOM比上一代器件低29 %，从而降低导通和开关损耗，节省功率转换应用的能源。
SiSS52DN适用于同步整流、同步降压转换器、DC/DC转换器、开关柜拓扑结构、OR-ring FET低边开关，以及服务器、通信和RF设备电源的负载切换。MOSFET可提高隔离和非隔离拓扑结构的性能，简化设计人员两种电路的器件选择。
器件经过100 % RG和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。
SiSS52DN现可提供样品并已实现量产，供货周期为12周。
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