英飞凌推出第二代高可靠非易失性SRAM
2021-04-01
来源：英飞凌
【2021年4月1日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX：IFNNY）旗下的Infineon Technologies LLC宣布推出第二代非易失性静态RAM（nvSRAM）。新一代器件已通过QML-Q和高可靠性工业规格的认证，支持苛刻环境下的非易失性代码存储和数据记录应用，包括航天和工业应用。
256 Kb STK14C88C和1 Mb STK14CA8C nvSRAM采用32引脚300 mil双列直插式陶瓷封装，符合MIL-PRF-38535 QML-Q规格（-55°C至125°C）和英飞凌的工业标准（-40 °C至85°C）。5 V和3 V版本均支持用于航天、通信和导航系统以及工业高炉和铁路控制系统的引导代码、数据记录和校准数据存储。英飞凌还提供晶圆销售，以支持封装系统。
Infineon Technologies LLC航天与国防业务副总裁Helmut Puchner表示：“新一代nvSRAM扩展了英飞凌在电荷阱型存储器领域的领导地位。我们nvSRAM系列中新增的这些符合QML-Q规范的高可靠性工业用器件证明了我们致力于为需要高性能、高可靠性存储器的恶劣工作环境提供解决方案。”
英飞凌的nvSRAM技术将高性能SRAM与一流的SONOS非易失性技术相结合。在正常工作条件下，nvSRAM的作用类似于传统的异步SRAM。断电时，nvSRAM会自动将SRAM数据的副本保存到非易失性存储器中，该数据的保护期限超过20年。英飞凌已交付超过20亿颗基于SONOS的非易失性嵌入式或独立存储器。
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