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华为3nm工艺芯片曝光,谁能代工是关键

2021-01-05
来源:OFweek电子工程网
关键词: 华为 3nm 芯片 Teme

元旦节假日期间,国外知名博主在推特上透露了华为最新研发芯片的进展。这名叫Teme(特米)的博主表示,华为下一代旗舰芯片“麒麟9010”将采用3nm工艺打造。

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(截图源自推特)

不过元旦假期结束,该名博主却更改了自己的说法,也许是一开始搞错了,该博主表示:目前有两款处理器正在研发中,其中麒麟9010将采用5nm +工艺,而麒麟9020则会采用3nm工艺。

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(截图源自推特)

按照之前华为受美国禁令显示的回应来看,华为在接下来的两年里,5nm工艺都会是其手机产品的主力芯片。而根据台积电和三星透露的3nm研发进展,最快也要2022年才能落地。

纵观各方3nm进展,谁能替华为代工?

此前华为曾宣布要在新材料和终端制造方面突破技术瓶颈,同时还表示将会对华为海思继续投资,未来将会有一个更为强大的海思归来,攻克难题,无非是时间问题、工艺问题以及成本问题。

结合华为旗下哈勃投资一直以来对数家国内开云棋牌官网在线客服的投资动态来看,全面进入芯片开云棋牌官网在线客服领域或许不是一句空话。

众所周知,华为因美国禁令限制,台积电已经无法再继续为其供应5nm芯片。但并不意味着华为会放弃更先进芯片的研发设计,只要晶圆代工厂拥有相应的工艺制程技术,那么华为依然可以设计研发出来进行流片测试,万一以后禁令解除了,也不至于落后一程。

提到3nm工艺,放眼望去,目前全球只有三星和台积电透露过相关信息。由于FinFET晶体管一度被认为只能延续到5nm节点,因此三星计划在3nm工艺研发上转换赛道,采用GAA环绕栅极晶体管技术。基于全新的GAA晶体管结构,三星通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该技术可以显著增强晶体管性能,主要取代FinFET晶体管技术。

此外,MBCFET技术还能兼容现有的FinFET制造工艺的技术及设备,从而加速工艺开发及生产。

具体来说,与现在的7nm工艺相比,3nm工艺可将核心面积减少45%,功耗降低50%,性能提升35%。

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(图片源自OFweek维科网)

毫无疑问,这是三星在3nm节点上的一次“豪赌”。或许是为了扭转此前5nm工艺落后的局面,大规模上马GAA技术的手段明显是较为激进的,而这到底能否帮助三星追上台积电,我们拭目以待。

另一方, 台积电所透露的3nm工艺进展看起来更加稳当,台积电没有像三星那样选择GAA晶体管技术,而是延续采纳FinFET晶体管技术进行开发。其3nm工艺与5nm工艺相比,相同功耗下性能提升约10~15%,相同性能下功耗减少约25~30%,前者逻辑区域密度提升1.7倍,但SRAM密度仅提升20%,模拟电路部分密度提升约10%,因此芯片层面上可能仅缩小26%左右。

在生产方面,台积电的3nm晶圆厂坐落在台湾南科园区,占地28公顷,位置紧邻台积电的5nm工厂。据悉,台积电3nm项目投资超过6000亿新台币,约为194亿美元或者1347亿人民币,2020年开始建厂,2021年完成设备安装,计划3nm芯片在2021 年进入风险性试产,2022 年下半年实现量产。

美国禁令之下,华为3nm能否诞生很难说

先进芯片的研发说到底只是证明企业是否有这个实力,那到底能不能生产上市或许就要看“命”了。华为要在台积电和三星之间二选一无疑是个大难题,台积电已经被明确禁止替华为代工先进制程,三星又怎会敢在这个风口浪尖上出头呢?

很明显,特朗普时代我们看到的是美国不遗余力地打压华为,从最早的元器件管控到一步步列入“实体清单”,到最后直接切断台积电与其之间的合作关系,华为的5G实力深深地动摇了美国的科技霸权地位。

当前正值美国大选交替之际,很多人将希望寄托于拜登上台后对华宽松的政策。但实际上,是否打压华为并不只是特朗普或拜登一个人的想法,而是整个美国科技霸权受到威胁时的惯用做法。真正想要开云棋牌官网在线客服产业不受制于人,不被外国“卡脖子”,倒不如积极重视以前发展不足的地方,重新投入资源发展。


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