根据韩国媒体《Etnews》报导指出，目前全球3大DRAM存储器中尚未明确表示采用EUV极紫外光刻机的美商美光（Micron），因日前招聘网站开始征求EUV工程师，揭露美光也在进行EUV运用于DRAM先进制程，准备与韩国三星、SK海力士竞争。
报导指出，美光招聘叙述是“企业内部开发EUV应用技术，并管理新EUV系统，以及与EUV设备制造商阿斯麦（ASML）沟通”，工作地点就在美光总部美国爱达荷州。美光已开始生产第3代10纳米级（1z）DRAM存储器，预计2021上半年开始大量生产第4代10纳米级（1a）DRAM存储器。

与竞争对手三星、SK海力士不同的是，美光不打算将EUV技术运用在第4代10纳米级DRAM存储器，而是未来第7代10纳米级（1d）DRAM存储器。
存储器与CPU逻辑制程一样，近年面临制程微缩的问题。如果使用EUV光刻技术，可减少多重曝光过程，提供更细微的制程精度与良率，进一步减少产品生产时间并降低成本，还可提高效能。不过，EUV光刻设备每部单价近1.5亿欧元，初期投资成本较深紫外光光刻设备（DUV）高许多，因此会让厂商考虑再三。美光先前就是因成本考量，加上采用DUV设备打造的DRAM符合市场需求，因此时程落后三星及SK海力士。

目前三星已在第3代10纳米级DRAM存储器生产导入EUV技术，且还预计2021年发表第4代10纳米级的DRAM存储器生产增加EUV技术。至于SK海力士则将在2021年量产第4代10纳米级DRAM存储器导入EUV技术，目前SK海力士也分批导入EUV设备，预计在京畿道利川市的新DRAM工厂建立EUV技术产线。
相较两家竞争对手已导入或正导入EUV技术，美光显然落后。外界解读这次美光招聘EUV工程人员，目的在于先研究EUV运作技术，以在未来正式推出相关技术的产品。因市场预期存储器市场将逐渐迎接正循环周期，美光也藉此储备未来市场竞争的最佳能量。