/美通社/ -- SK 海力士（或‘公司’，www.skhynix.com）宣布推出全球首款DDR5DRAM。DDR5 是新一代 DRAM 标准，此次 SK 海力士推出的 DDR5 DRAM 作为超高速、高容量产品，尤其适用于大数据、人工智能、机器学习等领域。

　　图 1. SK 海力士推出 1y 纳米级 DDR5 DRAM

　　图 2. SK 海力士推出 1y 纳米级 DDR5 DRAM

　　SK 海力士于 2018 年 11 月成功开发全球首款 16Gb DDR5 DRAM 之后，向英特尔等核心客户提供样品，并完成了一系列测试与性能、兼容性验证等程序。此番成果意味着 SK 海力士在即将到来的 DDR5 市场随时能够销售相关产品。

　　期间，SK 海力士与 SoC1）（System On Chip）开发公司等不同企业共同运营现场分析研究室，并通过共同执行系统级别测试（System Level Test）及各种模拟测试完成了新产品的性能验证。与此同时，SK 海力士还与诸多公司紧密合作，进行了包括 RCD2）（Register Clock Driver）、PMIC3）（Power Management IC）等构成模组的主要部件的兼容性验证。

　　SK 海力士推出的 DDR5 DRAM 的数据传输速率高达 4,800 ~ 5,600Mbps，其速率相较前一代 DDR4 最多提升了 1.8 倍。5,600Mbps 的传输速率意味着能够在 1 秒内传输九部全高清（Full-HD, FHD）电影。不仅如此，该产品的动作电压由前一代的 1.2V 降到了 1.1V，成功减少了 20%的功耗。

　　SK 海力士 DDR5 DRAM 的另一个显著特征是其芯片内置型错误纠正代码（Error Correction Code, ECC）；内置 ECC 能够依靠自身功能修复 DRAM 单元（cell）单字节单位的错误。有助于该特性，采用 SK 海力士 DDR5 DRAM 的系统的可信赖度有望提升二十倍。若与硅通孔（Through Silicon Via, TSV）技术相结合，更能够组成容量高达 256GB 的高容量模组。

　　SK 海力士期待这种低功耗、高信赖度且绿色环保的 DDR5 DRAM 将帮助数据中心降低其功耗及运营成本。

　　英特尔数据平台部门（Data Platforms Group）的 Carolyn Duran 副总裁（Vice President）表示：“为了树立基于 JEDEC 标准的初期结构概念（early architecture concept）并完成 DDR5 标准规格的开发，英特尔与 SK 海力士维持了紧密的合作关系。双方为了确保产品性能，进行了试制产品的设计、验证；这意味着两家公司已经做好了满足客户需求的准备。”

　　吴钟勋 SK 海力士副社长兼首席营销官（Chief Marketing Officer, CMO）则表示：“SK 海力士成功推出世界首款 DDR5 DRAM，得以在 DRAM 市场占据未来技术优势。我公司将重点瞄准快速成长的高端服务器市场，进一步巩固在服务器 DRAM 领域拥有的领先地位。”

　　固态技术协会（Joint Electron Device Engineering Council，JEDEC）于 2020 年 7 月正式发布了 DDR5 DRAM 的标准规格。

　　而市场调研机构 Omdia 分析指出，对 DDR5 的市场需求将从 2020 年开始逐步显现；其市占率将在 2022 年占整个 DRAM 市场的 10%，2024 年则将进一步扩大至 43%。

　　新思科技（Synopsys），瑞萨（Renesas），澜起科技（Montage Technology），Rambus 等企业也纷纷表示将为了打造 DDR5 生态圈而保持紧密合作关系。

　　负责 IP 营销与战略的 John Koeter 新思科技高级副总裁指出：“通过与 SK 海力士的合作，新思科技将为需要超高速、高容量存储器的高性能计算（High Performance Computing, HPC）SoC 提供高信赖度的 DDR5 解决方案。新思科技通过 SK 海力士的 DDR5 RDIMM 模组，在最大传输速率 6,400Mbps 的环境下完成了‘DesignWare DDR5/4 IP’的验证，这意味着将设计者的风险最小化的同时，能够实现数据密集型的高性能 SoC。”

　　Rami Sethi 瑞萨副总裁兼数据中心业务部门（Data Center Business Division）总经理（General Manager）表示：“瑞萨在过去二十年作为倡导存储器接口市场的企业，对与诸多合作公司及客户建立的合作关系感到十分自豪。通过此番与 SK 海力士的紧密合作，瑞萨成功完成了涉及服务器、客户、内置系统等诸多应用领域的 DDR5 DRAM 产品的验证。”

　　负责销售与经营开发（Sales and Business Development）的 Geof Findley 澜起科技副总裁则表示：“我们非常高兴能够与 SK 海力士为了打造 DDR5 存储器生态圈而相互合作。澜起科技在早期 DDR 存储器萌芽之际就已经与 SK 海力士展开了合作关系，我公司承诺持续提供高性能、低能耗的存储器接口解决方案。目前，澜起科技能够提供涵盖不同领域的全方位 DRAM 模组接口产品，很高兴能够再次与 SK 海力士合作，为 DDR5 市场的加速发展添一份力。”

　　Chien-Hsin Lee Rambus 副总裁兼集成电路部门（Integrated Circuits）总经理认为：“我们非常高兴在实现下一代新技术等领域与 SK 海力士合作，进而为营造 DDR5 生态圈贡献。我们相信，采用全新存储器接口的 DDR5 DRAM 模组将帮助提升服务器性能，并满足需要高容量、高带宽存储器的数据中心市场的需求。”

　　注解

　　SoC （System on Chip）

　　又称系统级芯片，指将与中央处理器（CPU）及系统 Bus 相结合的周边电路装置（存储器控制器、PCIe Bus 等）集成至单一芯片的解决方案。

　　RCD （Register Clock Driver）

　　又称寄存时钟驱动芯片，是用于服务器 DRAM 模组（RDIMM、LRDIMM）的有源元件（active element），其功能是放大从存储器控制器适用至存储器的指令及数据信号，进而保障发射机（transmitter）与接收机（receiver）之间信号品质。

　　PMIC （Power Management Integrated Circuit）

　　又称电源管理集成电路，指接收主电源输出并为电子设备提供其所需的稳定、高效的电压、电流的集成电路；PMIC 是在 DDR5 这一代被 DRAM 模组首次采用。