Vishay推出新款200V N沟道MOSFET的RDS(ON)导通电阻达到业内最低水平，提高系统功率密度且节省能源
TrenchFET器件典型RDS(ON)为 61 mΩ，优值系数为 854 mΩ*nC，封装面积10.89 mm²
2020-09-23
来源：Vishay
宾夕法尼亚、MALVERN — 2020 年 9 月 23 日 — 日前，VishayIntertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型200V n沟道MOSFET---SiSS94DN，器件采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装，10 V条件下典型导通电阻达到业内最低的61 mΩ。同时，经过改进的导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET开关应用重要优值系数（FOM）为854 mΩ*nC。节省空间的Vishay Siliconix SiSS94DN专门用来提高功率密度，占位面积比采用6mm x 5mm封装相似导通电阻的器件减小65 %。
日前发布的TrenchFET® 第四代功率MOSFET典型导通电阻比市场上排名第二的产品低20 %，FOM比上一代解决方案低17 %。这些指标降低了导通和开关损耗，从而节省能源。外形紧凑的灵活器件便于设计师取代相同导通损耗，但体积大的MOSFET，节省PCB空间，或尺寸相似但导通损耗高的MOSFET。
SiSS94DN适用于隔离式DC/DC拓扑结构原边开关和同步整流，包括通信设备、计算机外设、消费电子； 笔记本电脑、LED电视、车辆船舶LED背光；以及GPS、工厂自动化和工业应用电机驱动控制、负载切换和功率转换。
器件经过100 % RG和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。
SiSS94DN现可提供样品并已实现量产，供货周期为12周。
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