kaiyun官方注册
您所在的位置: 首页> 模拟设计> 业界动态> 国产内存花钱购买美国Rambus内存专利 费用未公布

国产内存花钱购买美国Rambus内存专利 费用未公布

2020-04-28
来源:新浪科技综合

  在长江存储不断突破3D闪存的同时,国内另一家存储企业合肥长鑫也攻关DDR内存,去年9月份正式量产10nm内存。日前长鑫又宣布与美国Rambus(中文名蓝铂世)达成协议,获得了后者的DRAM技术授权。

  与长鑫合作的美国Rambus公司虽然也是NPE(Non-Practicing Entity,非专利执行实体)公司,但在内存技术上还是很有实力的,过去多年中三星、SK海力士、Intel、高通、NVIDIA等公司都跟他们签订了DRAM技术授权协议。

  长鑫与Rambus签署的合作协议也涉及DRAM技术授权,不过具体的合作内容及授权费用没有公布,两边对此合作倒是都很满意。

600e-isuiksn7785632.jpg

长鑫存储董事长兼CEO朱一明表示:“与蓝铂世达成的协议再次表明,长鑫存储高度重视知识产权相关的国际规则,持续强化知识产权组合。公司致力于通过自主研发与国际合作,不断增加在开云棋牌官网在线客服核心技术和高价值知识产权方面的积累,并以此为基础实现可持续发展,稳步提升市场竞争力。”

  长鑫存储2016年5月在安徽合肥启动,总投资1500亿元,专业从事DRAM内存的研发、生产和销售,目前已建成第一座300毫米晶圆厂并投产,并通过专用研发线快速迭代研发,结合当前先进设备大幅度改进工艺,开发出了独有的技术体系。

  2019年9月份,合肥长鑫公司宣布总投资1500亿元的合肥长鑫内存芯片自主制造项目投产,将生产国产第一代10nm级8Gb DDR4内存。

  在内存技术上,长鑫存储的董事长兼CEO朱一明去年披露,他们从已破产的奇梦达公司,获得了一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB数据,在此基础上改进、研发自主产权的内存芯片,耗资超过25亿美元。

  在自研技术之外,长鑫也免不了要跟其他公司合作授权,就在去年底,长鑫存储从Polaris获得了大量DRAM技术专利的实施许可,而这些专利来自Polaris 2015年6月从奇梦达母公司英飞凌购得的专利组合。

33.jpg


本站内容除特别声明的原创文章之外,转载内容只为传递更多信息,并不代表本网站赞同其观点。转载的所有的文章、图片、音/视频文件等资料的版权归版权所有权人所有。本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如涉及作品内容、版权和其它问题,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以便迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。联系电话:010-82306116;邮箱:aet@chinaaet.com。
Baidu
map