电子器件向着小型化方向发展，GaN解决方案提供的高功率密度使器件尺寸变得更小，从而简化了设计过程中的布局并减少了损耗。宽带隙甚至可以在高温下运行。 GaN器件还可以以比其硅等效器件更高的频率工作，移动速度最高可快10倍。

英飞凌的总体战略是将当今的每一项尖端硅技术与宽带技术相集成。英飞凌基于已经在市场上推出的CoolSiC™技术，推出了新的CoolGaN™解决方案，这些解决方案完善了CoolMOS™产品组合的超级器件。 CoolGaN可确保高效率并降低功率转换器的重量。 CoolGaN可使输出功率加倍，在相同的空间内提供更高的效率。 CoolGaN晶体管中RDS(ON)的温度系数明显低于硅晶体管，这验证了Infineon所说的关于传导损耗的合理效率。

CoolGaN系列中使用的技术适用于单个封装中的多芯片解决方案，并且与等效解决方案相比，可提供更直接，更便宜的半桥拓扑。

CoolGaN器件简化了PFC(功率因数校正)的半桥拓扑，包括消除了无效的输入矫直桥。

600V CoolGaN系列CoolGaN器件的制造符合合格的工艺规范，该规范远远超出了硅功率器件的标准，并且针对电信，数据通信和SMPS服务器应用以及许多工业和消费类应用进行了优化。

在电源大会上，我们采访了英飞凌GaN市场与应用高级总监Tim McDonald。 Infineon Technologies AG是开云棋牌官网在线客服解决方案的全球领导者，这些解决方案使生活更轻松，更安全，更绿色。英飞凌的开云棋牌官网在线客服和系统解决方案为美好的未来做出了贡献-使我们的世界更轻松，更安全，更绿色。以上就是新型电源解决方案CoolGaN，相信能给大家带来一定的帮助。