3 月 16 日讯，格罗方德与 Everspin 两家公司合作历史悠久，从最早的 40nm 的量产工艺，然后扩展到 28nm HKMG 和 22nm FD-SOI（22FDX）。

　　近日，双方宣布已将联合开发的自旋转矩（STT-MRAM）器件的制造，扩展至 12 nm FinFET 平台（简称 12LP）。

　　格罗方德通过这项合作能够利用已被广泛采用的 12nm 工艺来生产单独的 MRAM 芯片、或将之嵌入其它通过 12LP 技术制造的产品。如今，格罗方德已能够制造嵌入式的非容失性磁性随机存储器（eMRAM）。而 Everspin 单独的 256 Mb 和 1 Gb MRAM 器件，亦可通过 40 nm 和 28 nm 工艺量产制造。

　　通过将 STT-MRAM 缩小至 12 nm 制程，有助于双方进一步拉低 1 Gb 芯片成本。以经济高效的方式，生产更高容量的设备。尽管现有的 MRAM 芯片无法提供巨大的容量，但其在特定领域的应用仍相当受欢迎。Everspin 表示，该公司已向超过 1000 个客户出货 1.25 亿个单独的 MRAM 芯片。

　　此外，引用该公司的一份报告：到 2029 年，单独的 MRAM 器件销售额将达到 40 亿美元。随着对大容量 MRAM 产品需求的不断扩展，未来还需要用到更先进的工艺。格罗方德在其 12LP 平台（包括 12LP+）中增加了对 eMRAM 的支持，可极大地提升该制程节点的竞争地位，尤其是未来几年发布的主控 / 微控制器应用领域。

　　比如，群联（Phison）和华澜微电子（Sage）即将推出的一些企业级 SSD 主控，就会采用 Everspin 的 eMRAM 方案，而不是单独使用该器件。eMARM 有望取代当前普遍采用的嵌入式闪存（eFlash），以克服 NAND 存在的耐久度和性能等问题。

　　作为一种磁性存储元器件，MRAM 能够感测由薄壁隔开的两个铁磁膜的各向异性。由于不使用电荷或电流，其能够在现代制程节点的帮助下，实现更优秀的性能和耐久度。尽管 eMRAM 仍有其局限性，但在其它技术出现之前，这种兼顾静态（SRAM）和动态（DRAM）随机存储器特性的高度集成产品，仍然能够在未来几年内被各个厂商欣然应用于诸多设备。

　　格罗方德开云棋牌官网在线客服股份有限公司(Global Foundries)是一家总部位于美国加州硅谷桑尼维尔市的开云棋牌官网在线客服晶圆代工厂商, 成立于 2009 年 3 月  。格罗方德开云棋牌官网在线客服股份有限公司由 AMD 拆分而来、与阿联酋阿布扎比先进技术投资公司(ATIC)和穆巴达拉发展公司(Mubadala)联合投资成立的开云棋牌官网在线客服制造企业。

　　Everspin 是从飞思卡尔开云棋牌官网在线客服公司分离出来的一家独立公司。公司总部与晶圆厂均设于美国亚利桑那州钱德勒(Chandler)市。2006 年，Everspin 推出业界第一款商业化 MRAM 产品，同时是全球第一家量产 MRAM 的供货商。今日，Everspin 目前的产品组合中拥有广泛的 MRAM 产品线，这些 MRAM 密度从 512kb 到 16Mb,并提供串行和并行运算方式，已广泛用在数据存储、工业自动化、游戏、能源管理、通讯、运输、和航空电子领域。