2 月 28 日讯，格芯（GlobalFoundries）宣布其已经完成了 22FDX（22 nm FD-SOI）技术开发，而这项技术用于生产嵌入式磁阻非易失性存储器（eMRAM）。

　　eMRAM 这种综合了 RAM 内存、NAND 闪存的新型非易失性存储介质断电后不会丢失数据，写入速度则数千倍于闪存，可以兼做内存和硬盘，甚至统一两者。同时很关键的是，它对制造工艺要求低，良品率也高得多，可以更好地控制成本，成品价格自然不会太离谱。

　　事实上，除了 格芯外，Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行业巨头多年来一直都在研究 eMRAM。

　　eMRAM 具有许多优势，它不涉及电荷或电流，而是使用磁存储元件，并依赖于读取由薄势垒分隔的两个铁磁膜的磁各向异性。该方法在写入数据之前不需要擦除周期，这意味着更高的性能。此外，可以使用现代工艺技术生产 MRAM，并且具有很高的耐久性。该技术有一些缺点，最终将通过使用 ReRAM 的制造工艺来解决，但 格芯和三星 Foundry 认为 MRAM 在绝大多数应用中都具有巨大潜力。

　　格芯表示，使用其 22FDX 和 eMRAM 工艺技术生产的测试芯片，在 ECC 关闭模式下，在 -40°C 到 125°C 的工作温度下，具有 10 万个周期的耐久性和 10 年的数据保持能力。此外，公司的 eMRAM 测试产品还可以通过标准可靠性测试，包括 LTOL(168 小时)、HTOL(500 小时)和 5x 焊料回流，故障率

　　格芯在德国德累斯顿的 Fab1 中使用 22FDX 技术生产这种芯片。这种差异化 eMRAM 部署在业界最先进的 FDX 平台上，在易于集成的 eMRAM 解决方案中提供了高性能 RF，低功耗逻辑和集成电源管理的独特组合，使客户能够交付新一代的超高性能，低功耗 MCU 的物联网应用。

　　eMRAM 是一种可扩展功能，预计将在FinFET和未来的 FDX 平台上推出，作为公司先进 eNVM 路线图的组成部分。格芯位于德国德累斯顿 1 号晶圆厂的先进 300mm 产品线将为 MRAM22FDX 的量产提供支持。

　　此外，格芯的 eMRAM 测试产品还可以通过标准可靠性测试，包括 LTOL（168 小时）、HTOL（500 小时）和 5x 焊料回流，故障率<1ppm，而生产中的的磁抗扰性问题也得到了有效解决。