据《韩国经济》杂志报道，三星电子已成功研发出首款3nm工艺芯片，基于全栅极（GAAFET）技术。与三星使用FinFET工艺研发的5nm芯片相比，3nm芯片的总硅片面积减少35%，功耗降低50%，性能提高30%

　　据悉，韩国当地时间1月2日，三星电子事实上的领导者李在镕层参观了三星的开云棋牌官网在线客服研发中心，并商讨了有关公司利用3nm工艺制造芯片的战略计划，以提供给全球客户。

　　一、三星电子的GAAFET工艺

　　早在一年前，三星开始进行3nm GAAFET工艺的研发，最初计划于2021年开始量产。

　　与此同时，三星还曾表示要在2020年之前采用4nm GAAFET工艺，但业界对三星是否能在2020年之前将该工艺量产表示怀疑。

　　从事实上看，三星将GAAFET芯片投入生产的时间比业界预期的还要早。但随着三星3nm芯片原型的开发，其量产的时间或许会比市场预期更早。

　　实际上，GAAFET的工艺设计与FinFET大不相同。

　　FinFET工艺将闸门设计成了像鱼鳍般的3D结构，把以往水平的芯片内部结构变垂直，把晶体厚度变薄。

　　这种设计不仅能很好地接通和断开电路两侧的电流，大大降低了芯片漏电率高的问题，还大幅地缩短了晶体管之间的闸长。

　　而GAAFET的工艺则围绕通道的四个侧面设计，以确保减少功率的泄漏，进一步改善对通道的控制。

　　此外，GAAFET工艺还能够实现更高效的晶体管设计，拥有更小的整体制程尺寸，大大提升了芯片的每瓦性能。

　　二、台积电仍在5nm领域发力

　　三星电子的老对手台积电在3nm工艺领域似乎还较为低调。

　　台积电曾表示将在2019年年底启动3nm晶圆厂建设，并表示其进展“令人欣慰”，但关于3nm的技术细节却未过多披露。

　　相反，当下台积电则更多低将心思放在5nm工艺的研发中。从去年年底开始，关于台积电5nm工艺试产良率的消息频频爆出。

　　就在去年10月，台积电表示，其首批5nm工艺已顺利拿下苹果和华为海思两大客户，将分别打造苹果A14芯片和华为新一代麒麟芯片。

　　据台积电上个月的最新消息表示，其5nm工艺平均良率已提高至50%，2020年上半年即可实现量产。

　　而在三星电子则表示，其目标要在2030年成为世界第一的开云棋牌官网在线客服制造商。

　　结语：芯片先进制程领域战火纷飞

　　多年来，台积电和三星的芯片代工之争愈演愈烈，尤其进入到了5nm及以下的先进制程领域，除了良率、性能和客户订单之争外，双方围绕芯片工艺、开云棋牌官网在线客服材料和光刻机等方面的竞争也更加激烈。

　　但就目前综合看来，三星虽然已公布其3nm工艺的最新进展，但在良率、订单等进程上，依然是台积电更胜一筹。未来，输了7nm的三星是否能在3nm扳回一城？我们拭目以待。